量子点器件和电子设备制造技术

公开量子点器件和电子设备。所述量子点器件包括：彼此面对的阳极和阴极；在所述阳极和所述阴极之间的量子点层；在所述阳极和所述量子点层之间的空穴传输层，所述空穴传输层配置成提高从所述阳极到所述量子点层的空穴传输性质；在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子传输层，所述无机电子传输层配置成提高从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质；以及在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子控制层，所述无机电子控制层配置成降低从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质。所述电子设备包括所述量子点器件。

【技术实现步骤摘要】
量子点器件和电子设备对相关申请的交叉引用本申请要求于2019年1月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0005324的优先权、以及由其产生的所有权益，将其全部内容通过引用引入本文中。
公开了量子点器件和电子设备。
技术介绍
与块体材料不同，纳米颗粒的作为固有特性的物理特性(例如，能带隙、熔点等)可通过改变纳米颗粒的颗粒尺寸而控制。例如，当也称为量子点的半导体纳米晶体颗粒被供应光能或电能时，量子点可发射对应于量子点的尺寸的波长的光。因此，量子点可用作发射特定波长的光的发光元件。
技术实现思路
量子点器件可使用量子点作为发光元件。需要改善量子点器件的性能的方法。一种实施方式可提供能够实现改善的性能的量子点器件。一种实施方式提供包括所述量子点器件的电子设备。根据一种实施方式，量子点器件包括：彼此面对的阳极和阴极；在所述阳极和所述阴极之间的量子点层；在所述阳极和所述量子点层之间的空穴传输层，所述空穴传输层配置成提高从所述阳极到所述量子点层的空穴传输性质；在所述阴极和所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.量子点器件，包括：/n彼此面对的阳极和阴极，/n在所述阳极和所述阴极之间的量子点层，/n在所述阳极和所述量子点层之间的空穴传输层，所述空穴传输层配置成提高从所述阳极到所述量子点层的空穴传输性质，/n在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子传输层，所述无机电子传输层配置成提高从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质，以及/n在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子控制层，所述无机电子控制层配置成降低从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质。/n

【技术特征摘要】
20190115 KR 10-2019-00053241.量子点器件，包括：
彼此面对的阳极和阴极，
在所述阳极和所述阴极之间的量子点层，
在所述阳极和所述量子点层之间的空穴传输层，所述空穴传输层配置成提高从所述阳极到所述量子点层的空穴传输性质，
在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子传输层，所述无机电子传输层配置成提高从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质，以及
在所述阴极和所述量子点层之间的无机电子控制层，所述无机电子控制层配置成降低从所述阴极到所述量子点层的电子传输性质。


2.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述无机电子控制层设置在所述阴极和所述无机电子传输层之间、在所述量子点层和所述无机电子传输层之间、或其组合。


3.如权利要求1所述的量子点器件，其中
所述无机电子传输层包括第一无机材料，并且
所述无机电子控制层包括不同于所述第一无机材料的第二无机材料。


4.如权利要求3所述的量子点器件，其中所述第一无机材料包括包含锌的氧化物。


5.如权利要求4所述的量子点器件，其中所述包含锌的氧化物由Zn1-xMxO表示，其中M为Mg、Co、Ni、Zr、Mn、Sn、Y、Al、或其组合，并且0≤x<0.5。


6.如权利要求3所述的量子点器件，其中所述第二无机材料包括包含镓、镍、铜、钨、锰、铬、钽、铋、铟、铝、铅、锆、或其组合的氧化物、氮化物、硫化物、磷化物、或卤化物。


7.如权利要求5或6所述的量子点器件，其中所述第二无机材料包括氧化镓。


8.如权利要求7所述的量子点器件，其中第二无机材料包括γ-Ga2O3。


9.如权利要求3所述的量子点器件，其中所述第一无机材料和所述第二无机材料各自包括具有小于或等于10纳米的平均粒径的纳米颗粒。


10.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述无机电子控制层的最低未占分子轨道能级低于
所述量子点层的最低未占分子轨道能级和
所述无机电子传输层的最低未占分子轨道能级。


11.如权利要求1所述的量子点器件，其中所述无机电子控制层的能带隙大于
所述量子点层的能带隙和
所述无机...

【专利技术属性】
技术研发人员：金星祐，朴建洙，丁大荣，张银珠，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR