晶圆支撑装置制造方法及图纸

技术编号:24950100 阅读:46 留言:0更新日期:2020-07-18 00:07
[问题]:提供一种能够防止颗粒产生的同时不降低吸附力的晶圆支撑装置。[解决方案]:在晶圆支撑装置中,卡盘电极(3)以预定的图案形成在绝缘基板的表面,并所述卡盘电极被由PBN或C‑PBN制成的绝缘覆膜层(5)覆盖,每个卡盘电极的表面具有带有凸部(3a),以呈现出凸起和凹陷的形状,绝缘覆膜层的表面形成为与卡盘电极表面凸起和凹陷形状一致的凸起和凹陷。绝缘覆膜层的凸部(5a)的顶面彼此齐平而形成晶圆载置面(9)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶圆支撑装置
本专利技术涉及在半导体和液晶制造过程中使用的晶圆支撑装置。
技术介绍
在半导体和液晶的制造过程中,静电卡盘已被广泛作为进行干蚀刻或PVD(物理气相沉积)中的用于固定晶圆的装置。现有技术中的静电卡盘的设计如图6所示,其中,用于静电卡盘的导电电极3以预定图案布置在绝缘基板的顶面,该绝缘基板具有由比如热解氮化硼(PBN)制成的绝缘层2覆盖的石墨板1,并且用于加热的另一个电极4以预定图案布置在绝缘基板的底面,这两个电极3、4被绝缘覆膜层5覆盖。虽然图中没有示出,但是电极3、4的相对端均通过端子连接到电源。在上述设计的静电卡盘中,将绝缘覆膜层5的顶面6作为晶圆载置面9,待被静电吸附的工件7(比如晶圆)被置于晶圆载置面9,并且在电极3的端子之间施加电压以产生库仑力,其将静电吸附工件7。图6的结构中还具有加热电极4,其能够在将工件7均匀加热至产生期望吸附力的最佳温度的同时,吸附工件7。图6为双极性静电卡盘的设计示例。设计单极性静电卡盘,以使得在绝缘基板上布置单个导电电极(卡盘电极3)后由绝缘覆膜层5覆盖。在卡盘电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶圆支撑装置,其中,在绝缘基板的表面上以预定图案形成卡盘电极,并所述卡盘电极被由PBN或制成的绝缘覆膜层覆盖,其特征在于,所述绝缘覆膜层具有带有凸部的不平表面,该凸部覆盖所述卡盘电极的凸部,所述凸部的顶面彼此齐平限定晶圆载置面。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170919 JP 2017-1793391.一种晶圆支撑装置,其中,在绝缘基板的表面上以预定图案形成卡盘电极,并所述卡盘电极被由PBN或制成的绝缘覆膜层覆盖,其特征在于,所述绝缘覆膜层具有带有凸部的不平表面,该凸部覆盖所述卡盘电极的凸部,所述凸部的顶面彼此齐平限定...

【专利技术属性】
技术研发人员:森川裕次
申请(专利权)人:迈图石英日本合同会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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