一种反向恢复特性好的RC-IGBT芯片及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片，本发明专利技术的反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片，其FRD区内相邻发射沟槽区之间设置有与发射极电极形成欧姆接触的第二P型基区，第二P型基区的两侧设有与发射极电极形成肖特基接触的P型肖特基结区，并且第二P型基区的深度大于P型肖特基结区的深度，P型肖特基结区的掺杂浓度低于第二P型基区的掺杂浓度，第一P型基区的掺杂浓度与第二P型基区的掺杂浓度相等。本发明专利技术的反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片其反向恢复电流较小，此外，本发明专利技术还涉及该RC‑IGBT芯片的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
一种反向恢复特性好的RC-IGBT芯片及其制造方法
本专利技术涉及一种IGBT芯片，尤其涉及一种反向恢复特性好的RC-IGBT芯片。此外本专利技术还涉及该RC-IGBT芯片的制造方法。
技术介绍
RC-IGBT是将续流二极管FRD集成在IGBT器件内部的半导体芯片。目前的RC-IGBT芯片，其FRD区内PN结处的过剩载流子较多，从而使得反向恢复电流较大，进而使二极管的反向恢复特性较差。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本专利技术的目的是提供一种反向恢复特性好的RC-IGBT芯片及其制造方法，本专利技术的反向恢复特性好的RC-IGBT芯片，其反向恢复电流低。本专利技术的反向恢复特性好的RC-IGBT芯片，包括IGBT区和FRD区，所述IGBT区及FRD区均包括由半导体基板形成的N型漂移区、位于N型漂移区背面的N型场终止区及位于N型场终止区下方的集电极，IGBT区内N型场终止区与集电极之间设有P型集电极区，FRD区内N型场终止区与集电极之间设置有N型集电极区，所述IGBT区内N型漂移区的表面设有积累区，IGBT区内还设本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反向恢复特性好的RC-IGBT芯片，包括IGBT区和FRD区，所述IGBT区及FRD区均包括由半导体基板(100)形成的N型漂移区、位于N型漂移区背面的N型场终止区(210)及位于N型场终止区下方的集电极(5)，IGBT区内N型场终止区与集电极之间设有P型集电极区(220)，FRD区内N型场终止区与集电极之间设置有N型集电极区(230)，所述IGBT区内N型漂移区的表面设有积累区(11)，IGBT区内还设有底端位于N型漂移区的多个栅沟槽区(12)及虚拟沟槽区(32)，FRD区内设有多个底端位于N型漂移区的发射沟槽区(22)，栅沟槽区内设有位于栅沟槽区表面的绝缘膜(13)及绝缘膜上方的栅...

【技术特征摘要】
1.一种反向恢复特性好的RC-IGBT芯片，包括IGBT区和FRD区，所述IGBT区及FRD区均包括由半导体基板(100)形成的N型漂移区、位于N型漂移区背面的N型场终止区(210)及位于N型场终止区下方的集电极(5)，IGBT区内N型场终止区与集电极之间设有P型集电极区(220)，FRD区内N型场终止区与集电极之间设置有N型集电极区(230)，所述IGBT区内N型漂移区的表面设有积累区(11)，IGBT区内还设有底端位于N型漂移区的多个栅沟槽区(12)及虚拟沟槽区(32)，FRD区内设有多个底端位于N型漂移区的发射沟槽区(22)，栅沟槽区内设有位于栅沟槽区表面的绝缘膜(13)及绝缘膜上方的栅电极(14)，虚拟沟槽区内设有位于虚拟沟槽区表面的绝缘膜(33)及绝缘膜上方的虚拟栅电极(34)，发射沟槽区内设有位于发射沟槽区表面的绝缘膜(23)及绝缘膜上方的发射栅电极(24)，所述栅电极、虚拟栅电极及发射栅电极的上方均设有位于半导体基板表面的绝缘介质层(17)，所述IGBT区内设有位于积累区上方的第一P型基区(15)，所述第一P型基区的表面设有N+发射区(16)，且第一P型基区内还设有位于N+发射区下方的接触区(19)，IGBT区表面设有与接触区(19)电连接的发射极电极(3)，IGBT区的表面还设置有与栅电极连接的栅金属层，IGBT区内的虚拟栅电极与所述发射极电极电连接，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳平，
申请(专利权)人：上海擎茂微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31