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本发明涉及一种反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片，本发明的反向恢复特性好的RC‑IGBT芯片，其FRD区内相邻发射沟槽区之间设置有与发射极电极形成欧姆接触的第二P型基区，第二P型基区的两侧设有与发射极电极形成肖特基接触的P型肖特基结区，并且...
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