IGBT器件及IGBT器件的制备方法技术

本申请公开了一种IGBT器件及IGBT器件的制备方法，该器件包括：衬底，其中形成有沟槽型栅极；层间介质，其形成于衬底上；顶层金属层，其形成于层间介质上；层间介质和衬底中，每个沟槽型栅极之间形成有至少两个接触通孔，至少两个接触通孔中每个接触通孔分别与顶层金属层和衬底连接。本申请将IGBT器件的深沟槽型栅极之间设置至少两个接触孔用于引出，由于至少两个接触孔中每个接触孔的宽度小于单个接触孔的宽度，且设置至少两个接触孔能够使上层的顶层金属层在横向上的分布更为均匀，从而能够使顶层金属层的表面起伏较小，有较好的形貌，提高了IGBT器件的稳定性。

IGBT device and preparation method of IGBT device

【技术实现步骤摘要】
IGBT器件及IGBT器件的制备方法
本申请涉及半导体
，具体涉及一种绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor，IGBT)器件及IGBT器件的制备方法。
技术介绍
IGBT器件是由双极性晶体管(bipolarjunctiontransistor，BJT)器件和金属-氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor，MOSFET)器件组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，其具有MOSFET器件的高输入阻抗和电力晶体管(gianttransistor，GTR)器件的低导通压降的优点。作为新能源电力电子产品中的核心器件，IGBT器件近年来由传统产品领域(例如白色家电、工业变频、焊机等领域)向新型产品领域(例如新能源汽车领域)转变。参考图1，其示出了相关技术中提供的IGBT器件的剖面示意图，如图1所示，衬底110中形成有沟槽型栅极120，衬底110上形成有层间介质130，衬底110和层间介质130中形成有接触孔(contac本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底中形成有沟槽型栅极；/n层间介质，所述层间介质形成于所述衬底上；/n顶层金属层，所述顶层金属层形成于所述层间介质上；/n所述层间介质和所述衬底中，每个沟槽型栅极之间形成有至少两个接触通孔，所述至少两个接触通孔中每个接触通孔分别与所述顶层金属层和所述衬底连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底中形成有沟槽型栅极；
层间介质，所述层间介质形成于所述衬底上；
顶层金属层，所述顶层金属层形成于所述层间介质上；
所述层间介质和所述衬底中，每个沟槽型栅极之间形成有至少两个接触通孔，所述至少两个接触通孔中每个接触通孔分别与所述顶层金属层和所述衬底连接。


2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述接触通孔包括钨。


3.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述接触通孔的宽度为0.8微米2微米。


4.根据权利要求3所述的IGBT器件，其特征在于，所述顶层金属层包括铝铜、铝硅铜或者铝硅。


5.根据权利要求4所述的IGBT器件，其特征在于，所述顶层金属层的厚度为0.3微米至1.2微米。


6.一种IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底，所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘嘉，杨继业，黄璇，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31