【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及制造方法
本专利技术涉及半导体装置及制造方法。
技术介绍
以往，已知具备栅极沟槽的半导体装置(例如参照专利文献1和2)。如果对栅极沟槽施加预定电压，则在与栅极沟槽接触的P型区域形成纵向的沟道。专利文献1：日本特开2018-19046号公报专利文献2：日本特开2017-183346号公报
技术实现思路
技术问题在半导体装置中，优选抑制使实行沟道长度变短的短沟道效应。技术方案在本专利技术的第1方式中，提供具备具有第一导电型的漂移区的半导体基板的半导体装置。半导体装置可以具备被设置成从半导体基板的上表面到达漂移区，且在半导体基板的上表面沿排列方向排列有多个的沟槽部。半导体装置可以具备作为在半导体基板的内部被2个沟槽部夹着的区域的台面部。沟槽部可以具有1个以上的栅极沟槽部和1个以上的虚设沟槽部。与栅极沟槽部接触的至少一个台面部可以具有被设置成在半导体基板的上表面露出并且与栅极沟槽部接触，且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的发射区。台面部可以具有设置于发射...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：/n半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；/n沟槽部，其被设置成从所述半导体基板的上表面到达所述漂移区，且在所述半导体基板的上表面沿排列方向排列有多个；以及/n台面部，其是在所述半导体基板的内部被两个所述沟槽部夹持的区域，/n所述沟槽部具有1个以上的栅极沟槽部和1个以上的虚设沟槽部，/n与所述栅极沟槽部接触的至少一个所述台面部具有：/n第一导电型的发射区，其被设置成在所述半导体基板的上表面露出并且与所述栅极沟槽部接触，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；/n第二导电型的基区，其设置于所述发射区的下方，且被设置成与所述栅极沟槽部接触；/n...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180621 JP 2018-1177061.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体基板，其具有第一导电型的漂移区；
沟槽部，其被设置成从所述半导体基板的上表面到达所述漂移区，且在所述半导体基板的上表面沿排列方向排列有多个；以及
台面部，其是在所述半导体基板的内部被两个所述沟槽部夹持的区域，
所述沟槽部具有1个以上的栅极沟槽部和1个以上的虚设沟槽部，
与所述栅极沟槽部接触的至少一个所述台面部具有：
第一导电型的发射区，其被设置成在所述半导体基板的上表面露出并且与所述栅极沟槽部接触，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；
第二导电型的基区，其设置于所述发射区的下方，且被设置成与所述栅极沟槽部接触；
第一导电型的蓄积区，其设置于所述基区的下方，且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；以及
第二导电型的中间区域，其设置于所述基区的上端与所述蓄积区的下端之间的深度位置，
所述基区在所述半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布中具有第一峰，
所述中间区域在所述深度方向上的掺杂浓度分布中在从所述第一峰到所述沟槽部的下端的深度位置为止的部位具有第二峰和弯折部中的至少一方。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在设置有所述中间区域的深度位置处，所述台面部的在所述排列方向上的中央的第二导电型掺杂剂的掺杂浓度比与所述沟槽部接触的位置的第二导电型掺杂剂的掺杂浓度高。半导体装置。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述中间区域具有所述第二峰，
所述蓄积区在所述半导体基板的深度方向上的掺杂浓度分布中具有1个以上的峰，
所述第二峰配置在比所述蓄积区的最下侧的所述峰靠近上侧的位置。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第二峰配置在比所述蓄积区的最上侧的所述峰靠近上侧的位置。
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置，其特征在于，在所述基区与所述蓄积区之间的边界中的、与所述栅极沟槽部接触的部分的深度位置在以所述第二峰的深度位置为基准的所述中间区域的掺杂浓度分布的半值宽度的范围内。
6.根据权利要求3～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述中间区域的至少一部分设置在所述基区与所述蓄积区之间的边界中的比与所述栅极沟槽部接触的部分的深度位置靠近上侧的位置。
7.根据权利要求3～6中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第二峰的掺杂浓度比所述第一峰的掺杂浓度高。
8.根据权利要求3～7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述第二峰的掺杂浓度比所述蓄积区的掺杂浓度高。
9.根据权利要求3～8中任一项所述的...
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