温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

能够抑制半导体装置的短沟道效应。提供一种半导体装置，其中，与栅极沟槽部接触的至少一个台面部具有：被设置成在半导体基板的上表面露出并且与栅极沟槽部接触，且掺杂浓度比漂移区的掺杂浓度高的第一导电型的发射区；设置于发射区的下方且被设置成与栅极沟槽...
该专利属于富士电机株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。