一种X射线传感器及其制造方法技术

一种X射线传感器及其制造方法，其中X射线传感器包括多个X射线传感器像素单元，每个X射线传感器像素单元包括：至少一个X射线传感器像素单元，每个X射线传感器像素单元包括：本征半导体层，以及分别位于本征半导体层相对的两个表面上的第一类型掺杂层和第二类型掺杂层，其中，第一类型掺杂层的外轮廓为正六边形；位于第一类型掺杂层上的电极层和焊接柱，所述电极层与所述第一类型掺杂层电连接；以及读出电路，所述焊接柱与所述读出电路电连接。本公开的传感器较传统的矩形像素具有更大的像素密度，且探测像素的性能更加均匀，且分辨率和灵敏度高。

【技术实现步骤摘要】
一种X射线传感器及其制造方法
本公开属于半导体器件领域，尤其涉及一种X射线传感器及其制造方法。
技术介绍
X射线探测器是一种将X射线能量转换为可供记录的电信号的装置，在X射线光源聚焦后，穿过待测样品后的X射线通过X射线传感器转换为可供记录的电信号，而后通过信号处理进行成像。目前，半导体器件的探测器由于其体积小、速度快、便于信息处理以及设计灵活等优点，得到了广泛的应用，成为探测器市场的主流。硅基像素探测器是目前常用的一种X射线传感器，主要包括PIN二极管器件的像素阵列，通过铟柱将传感器像素单元的电极与读芯片封装，形成硅基探测器，该种探测器具有高空间分辨率、快速响应能力和高时间分辨能力，然而，也对传感器的集成度和探测图像的均匀性提出了更高的要求。
技术实现思路
本公开的目的在于克服现有技术中的不足，提供一种X射线传感器及其制造方法，使得像素间的隔离距离更小，提高像素密度以及探测图像的均匀性。为实现上述目的，本公开的技术方案为：一种X射线探测器，包括：至少一个X射线传感器像素单元，每个X射线传感器像素单元包本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种X射线探测器，其特征在于，包括：/n至少一个X射线传感器像素单元，每个X射线传感器像素单元包括：本征半导体层，以及分别位于本征半导体层相对的两个表面上的第一类型掺杂层和第二类型掺杂层，其中，第一类型掺杂层的外轮廓为正六边形；/n位于第一类型掺杂层上的电极层和焊接柱，所述电极层与所述第一类型掺杂层电连接；以及/n读出电路，所述焊接柱与所述读出电路电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种X射线探测器，其特征在于，包括：
至少一个X射线传感器像素单元，每个X射线传感器像素单元包括：本征半导体层，以及分别位于本征半导体层相对的两个表面上的第一类型掺杂层和第二类型掺杂层，其中，第一类型掺杂层的外轮廓为正六边形；
位于第一类型掺杂层上的电极层和焊接柱，所述电极层与所述第一类型掺杂层电连接；以及
读出电路，所述焊接柱与所述读出电路电连接。


2.根据权利要求1所述的X射线探测器，其中，所述电极层的外轮廓为正六边形，所述电极层的外轮廓小于所述第一类型掺杂层的外轮廓。


3.根据权利要求1所述的X射线探测器，其中，所述电极层的外轮廓与所述第一类型掺杂层的外轮廓基本平行。


4.根据权利要求1所述的X射线探测器，其中，所述电极层的外轮廓被介质层包绕。


5.根据权利要求1所述的X射线探测器，其中，
所述焊接柱包括打底层和铟柱，其中打底层与所述电极层电连接，铟柱与所述读出电路电连接。


6.根据权利要求5所述的X射线探测器，其中，所述打底层外包绕着钝化层。


7.根据权利要求1所述的X射线探测器，其中，所述第一类型掺杂层导电类型为P型，所述第二类型掺杂层导电类型为N型。


8.根据权利要求1至7任一项所述的X射线探测器，其中，多个X射线传感器像素单元呈蜂窝阵列排列。


9.根据权利要求8所述的X射线探测器，其中，相邻的X射线传感器像素单元呈等间隔、错位、非正交排列。


10.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：殷华湘，贾云丛，袁烽，陈大鹏，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11