平板探测器及制备方法技术

本文公开了一种平板探测器及制备方法。平板探测器包括：衬底基板；第一电极层，设置在衬底基板的一侧；光电转换层，设置在第一电极层背离衬底基板的一侧，光电转换层具有背离第一电极层一侧的第一表面；绝缘结构层，设置在光电转换层背离衬底基板的一侧，绝缘结构层背离衬底基板一侧的表面与衬底基板的距离小于或等于第一表面与衬底基板的距离，以暴露第一表面；第二电极层，设置在绝缘结构层背离衬底基板的一侧，第二电极层在衬底基板上的正投影覆盖光电转换层在衬底基板上的正投影。本文通过将第二电极层在衬底基板上的正投影设置为覆盖光电转换层在衬底基板上的正投影，减小了光电二极管的暗态漏电流，提升了平板探测器的光电特性。

【技术实现步骤摘要】
平板探测器及制备方法
本公开涉及传感器
，更具体地，涉及一种平板探测器及制备方法。
技术介绍
X射线检测广泛应用于现代医疗影像检测中，目前最先进的直接数字化X射线摄影(DigitalRadiography，DR)是在具有图像处理功能的计算机控制下，采用一维或者二维的X射线探测器直接把X射线信息转化为数字图像信息。二维平板探测技术中关键部件是获取图像的平板探测器(FlatPanelDetector，FPD)。在采用PIN光电二极管的平板探测器中，光电二极管结构产生的暗态漏电流偏大，影响了平板探测器的光电特性。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种平板探测器及制备方法，用以解决平板探测器中光电二极管暗态漏电流偏大的问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例提供了一种平板探测器，包括：衬底基板；第一电极层，设置在衬底基板的一侧；光电转换层，设置在第一电极层背离衬底基板的一侧，光电转换层具有背离第一电极层一侧的第一表面；绝缘结构层，设置在光电转换层背离衬底基板的一侧，绝缘结构层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种平板探测器，其特征在于，包括：/n衬底基板；/n第一电极层，设置在所述衬底基板的一侧；/n光电转换层，设置在所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧，所述光电转换层具有背离所述第一电极层一侧的第一表面；/n绝缘结构层，设置在所述光电转换层背离所述衬底基板的一侧，所述绝缘结构层背离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板的距离小于或等于所述第一表面与所述衬底基板的距离，所述第一表面暴露；/n第二电极层，设置在所述绝缘结构层背离所述衬底基板的一侧，所述第二电极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影。/n

【技术特征摘要】
1.一种平板探测器，其特征在于，包括：
衬底基板；
第一电极层，设置在所述衬底基板的一侧；
光电转换层，设置在所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧，所述光电转换层具有背离所述第一电极层一侧的第一表面；
绝缘结构层，设置在所述光电转换层背离所述衬底基板的一侧，所述绝缘结构层背离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板的距离小于或等于所述第一表面与所述衬底基板的距离，所述第一表面暴露；
第二电极层，设置在所述绝缘结构层背离所述衬底基板的一侧，所述第二电极层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述光电转换层在所述衬底基板上的正投影。


2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述绝缘结构层背离所述衬底基板一侧的表面与所述第一表面平齐。


3.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述绝缘结构层包括第一绝缘层和第一平坦层，所述第一绝缘层位于所述光电转换层和所述第一平坦层之间。


4.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述光电转换层还具有朝向所述第一电极层一侧的第二表面，以及位于所述第一表面和第二表面之间的侧壁，所述侧壁与所述第一表面之间的夹角为75°至85°。


5.根据权利要求1-4任一项所述的平板探测器，其特征在于：所述衬底基板包括基板和设置于所述基板上的薄膜晶体管，所述第一电极层与所述薄膜晶体管的漏电极连接。


6.根据权利要求5所述的平板探测器，其特征在于：所述第一电极层与漏电极同层设置。


7.根据权利要求5所述的平板探测器，其特征在于：所述衬底基板还包括覆盖薄膜晶体管的第二绝缘层、设置于所述第二绝缘层背离所述基板一侧的第二平坦层和设置于所述第二平坦层背离所述基板一侧的第三绝缘层，所述第二绝缘层上开设有中间过孔，所述中间过孔暴露漏电极，所述第二平坦层上在中间过孔位置开设第一过孔，所述第一过孔暴露所述漏电极，所述第三绝缘层在所述第一过孔位置开设第二过孔，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫奎，张志海，
申请(专利权)人：合肥京东方光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34