【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅单晶生长用坩埚、生长方法和生长装置
本专利技术属于半导体材料制造
，具体地，涉及一种碳化硅单晶生长用坩埚、生长方法和生长装置。
技术介绍
碳化硅(SiC)材料由于具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率快、化学稳定性高、抗辐射能力强等各种优越性能，可以用于耐高温、高频、抗辐射、大功率半导体器件材料，具有广泛的运用前景，然而由于SiC单晶生长条件严苛，易受到环境的影响，导致产品质量缺陷，因此，对于获得高质量SiC以实现SiC基器件优异的性能，其生长技术是关键。目前，目前PVT法生长SiC的长晶设备都是采用中频感应加热方式，通过中频线圈产生的磁场作用于石墨坩埚进行加热，使内部SiC原料升华，升华的气体组分在顶部籽晶上凝结并结晶得到SiC单晶产品，然而，目前的石墨坩埚，结构粗糙，内部不同位置有较大的温度差异，易使得SiC单晶在生长过程中，受到SiC原料、坩埚，以及其他因素的影响，导致SiC单晶里含有大量的异质包裹物，使得SiC单晶质量可控性差。因此，提供一种碳化硅单晶生长用坩埚、生长方法和生长
【技术保护点】
1.一种碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，包括：/n第一坩埚主体；/n第一盖体，设置于所述第一坩埚主体上，/n第二坩埚主体，设置于所述第一坩埚主体内，并与所述第一盖体形成一容纳腔；/n第二盖体，位于所述容纳腔内，将所述容纳腔形成相对设置的原料腔和生长腔；/n原料容纳部，位于原料腔内；/n所述第二坩埚主体、第二盖体，原料容纳部之间的孔隙率不同。/n
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，包括：
第一坩埚主体；
第一盖体，设置于所述第一坩埚主体上，
第二坩埚主体，设置于所述第一坩埚主体内，并与所述第一盖体形成一容纳腔；
第二盖体，位于所述容纳腔内，将所述容纳腔形成相对设置的原料腔和生长腔；
原料容纳部，位于原料腔内；
所述第二坩埚主体、第二盖体，原料容纳部之间的孔隙率不同。
2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述原料容纳部、所述第二坩埚主体和所述第二盖体的孔隙率依次增大，所述原料容纳部的孔隙率为8-15Vol.％。
3.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述第二坩埚主体的孔隙率为10-30Vol.％。
4.根据权利要求1或2所述的碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述第二盖体的孔隙率为35-55Vol.％。
5.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述原料容纳部为立体网状结构，所述立体网状结构的体积小于所述原料腔的体积。
6.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述第一主体和/或所述第一盖体由石墨材料构成。
7.根据权利要求1所述的碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述第二坩埚主体选自多孔碳-碳纤维、石墨软毡，以及石墨材料中的任意一种或上述其任意组合。
8.一种碳化硅单晶的生长方法，其特征在于，包括以下方法：
提供一碳化硅...
【专利技术属性】
技术研发人员：周玉洁，马远，潘尧波，
申请(专利权)人：中电化合物半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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