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本发明公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚、生长方法和生长装置，所述碳化硅单晶生长用坩埚包括：第一坩埚主体；第一盖体，设置于所述第一坩埚主体上；第二坩埚主体，设置于所述第一坩埚主体内，并与所述第一盖体形成一容纳腔；第二盖体，位于所述容纳腔内，将所...
该专利属于中电化合物半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电化合物半导体有限公司授权不得商用。

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