一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法技术

本发明专利技术公开了一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法，包括以下步骤：步骤1，拆炉、清理炉膛；步骤2，装炉；步骤3，对单晶炉内进行抽真空和捡漏；步骤4，压力化与熔料；步骤5，稳温；步骤6，引晶；步骤7，放肩；步骤8，转肩；步骤9，等径生长；步骤10，收尾与冷却；步骤11，停炉，取出单晶硅棒，复投或拆炉；本发明专利技术的RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法在现有的设备、工艺上进行改进后，所得拉制出的掺镓单晶硅棒轴、径向电阻均匀性明显提高，晶棒的有效拉制长度由60‑65%增加到了70‑75%，减少了循环料及最后一炉炉内剩料量；晶棒头部含氧率降低了1.0 PPM，断线率降低了10%。

【技术实现步骤摘要】
一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法
本专利技术涉及硅单晶生长
，具体涉及一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法。
技术介绍
RCZ法（多次装料拉晶技术）拉制太阳能级单晶法越发成熟，炉体也越来越大，拉制的单晶尺寸也越来越大，同时对质量的要求也越来越高。当炉体、单晶尺寸越来越大时，硅液温度稳定用时也越来越长，在生产掺镓硅单晶时，由于镓在硅中的分凝系数只有0.08。这就导致在进行掺镓单晶硅时，拉制出的硅棒轴、径向掺杂变化大（电阻分布不均匀），生产出的硅片均一性差。为了满足市场需求，提高有效生产率，急需要研究一种从工艺上改进处理，以便提高掺镓单晶硅的轴径向电阻均匀。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，针对当炉体、单晶尺寸越来越大时，硅液温度稳定用时也越来越长，同时因镓在硅中的分凝系数只有0.008，导致掺镓单晶硅电阻率在晶棒的轴径向的均匀性较差的问题，克服现有技术的缺点，提供一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法，该方法在现有的设备、工艺上进行改进后，所得硅单晶的电阻轴、径向均匀性明显提高，氧含量也有相应降低。为了解决以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤1，拆炉、清理炉膛；/n步骤2，装炉，将装好硅料和镓金属的石英坩埚中置到单晶炉内；/n步骤3，对单晶炉内进行抽真空和捡漏；/n步骤4，压力化与熔料，设定水冷屏的水流量30-280slpm；设置石英坩埚转速为1-12r/min，炉内压强为1000-2500Pa，惰性气体的流量为10-120slpm，熔料功率为30-360KW，最终得到液态硅；/n步骤5，稳温，设定水冷屏的水流量30-280slpm；设置石英坩埚转速为4-12r/min，炉内压强为1000-2500Pa，惰性气体的流量为10-120slpm，稳温功率为30-3...

【技术特征摘要】
1.一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，拆炉、清理炉膛；
步骤2，装炉，将装好硅料和镓金属的石英坩埚中置到单晶炉内；
步骤3，对单晶炉内进行抽真空和捡漏；
步骤4，压力化与熔料，设定水冷屏的水流量30-280slpm；设置石英坩埚转速为1-12r/min，炉内压强为1000-2500Pa，惰性气体的流量为10-120slpm，熔料功率为30-360KW，最终得到液态硅；
步骤5，稳温，设定水冷屏的水流量30-280slpm；设置石英坩埚转速为4-12r/min，炉内压强为1000-2500Pa，惰性气体的流量为10-120slpm，稳温功率为30-360KW，外导流筒下沿距离液态硅的距离为5-30mm，水冷屏到外导流筒下沿的距离为20-80mm，稳定液态硅的成晶液面温度在1430-1470℃，保温使石英坩埚内硅液温度稳定；
步骤6，引晶，设定水冷屏的水流量30-280slpm，设置石英坩埚转速为4-12r/min，炉内压强为1000-2500Pa，惰性气体的流量为10-120slpm，功率为30-360KW，籽晶转速为0.5-20r/min，籽晶预热后熔接、引晶；
步骤7，放肩，设定水冷屏的水流量30-280slpm，设置放肩拉速为0.5-10mm/min，籽晶转速为0.5-20r/min；
步骤8，转肩，设定水冷屏的水流量30-280slpm，设置转肩拉速为0.5-10mm/min，籽晶转速为0.5-20r/min；
步骤9，等...

【专利技术属性】
技术研发人员：马新星，王艺澄，张志强，
申请(专利权)人：包头美科硅能源有限公司，江苏高照新能源发展有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙;15