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本发明公开了一种RCZ法拉制掺镓单晶硅的方法，包括以下步骤：步骤1，拆炉、清理炉膛；步骤2，装炉；步骤3，对单晶炉内进行抽真空和捡漏；步骤4，压力化与熔料；步骤5，稳温；步骤6，引晶；步骤7，放肩；步骤8，转肩；步骤9，等径生长；步骤10，...该专利属于包头美科硅能源有限公司;江苏高照新能源发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过包头美科硅能源有限公司;江苏高照新能源发展有限公司授权不得商用。