一种倒装芯片制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体技术领域，具体公开了一种倒装芯片，其中，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置反射层，所述反射层上设置互联电极层，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层连接，所述互联电极层上设置焊盘电极层。本实用新型专利技术还公开了一种倒装芯片的制作方法。本实用新型专利技术提供的倒装芯片解决了现有技术中的电流分布不均和金属层吸光的难题。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装芯片
本技术涉及半导体
，尤其涉及一种倒装芯片。
技术介绍
因P-GaN迁移率较低，ITO薄膜加厚会吸光等诸多因素影响，在倒装芯片结构上需要采用金属扩展条设计，如图1所示，改善电流分布不均的问题，但金属扩展条同样存在吸光的问题，不利于外量子效率的提升。因此，本领域技术人员面临着如何解决现有技术中存在的电流分布不均和金属层吸光的难题。
技术实现思路
本技术提供了一种倒装芯片及倒装芯片的制作方法，解决相关技术中存在的电流分布不均和金属层吸光问题。作为本技术的第一个方面，提供一种倒装芯片，其中，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置反射层，所述反射层上设置互联电极层，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层连接，所述互联电极层上设置焊盘电极层。进一步地，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置多个第一通孔，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层通过多个第一通孔连接。进一步地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装芯片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置反射层，所述反射层上设置互联电极层，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层连接，所述互联电极层上设置焊盘电极层。/n

【技术特征摘要】
1.一种倒装芯片，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置反射层，所述反射层上设置互联电极层，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层连接，所述互联电极层上设置焊盘电极层。


2.根据权利要求1所述的倒装芯片，其特征在于，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层上设置多个第一通孔，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层通过多个第一通孔连接。


3.根据权利要求2所述的倒装芯片，其特征在于，所述第一通孔内均设置所述互联电极层。


4.根据权利要求1所述的倒装芯片，其特征在于，所述焊盘电极层与所述互联电极层之间设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层上...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡锡兵，蔡有军，刘春花，张斌斌，
申请(专利权)人：江苏新广联科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32