【技术实现步骤摘要】
一种量子点LED显示器件的晶圆级封装方法
本专利技术属于LED领域,涉及一种量子点LED显示器件的晶圆级封装方法。
技术介绍
晶圆级封装可以分为半晶圆级封装(SemiWaferLevelPackaging)和全晶圆级封装(FullWaferLevelPackaging),所谓半晶圆级封装,是先将LED晶圆划片,然后将芯片贴装到已制作有电路的基板材料上,再进行电互连、涂覆荧光粉、制作透镜等封装工艺,最后划片、裂片得到单颗或多颗LED模块,或者是在LED外延片上直接涂覆荧光粉后划片,经过测试和分选后再将已经涂覆好荧光粉的芯片贴装到基板上,然后电互连、安装透镜得到单颗或多颗LED模块,满足不同的应用要求。这两种半晶圆级封装技术中,前者发展迅速,相比传统的支架式LED封装形式,可以通过选择基板材料和结构来进一步提高LED的散热性能和缩小封装体积,实现LED的批量化生产,降低生产成本。全晶圆级封装技术,也就是晶圆对晶圆封装(Wafer-to-Wafer)。全晶圆级封装的一种实现方法是将LED外延片与含荧光粉的基片(陶瓷或玻璃)采用圆片 ...
【技术保护点】
1.一种量子点LED显示器件的晶圆级封装方法,其特征在于,所述封装方法包括以下步骤:/n(1)将第一嵌段共聚物、第二嵌段共聚物以及量子点分散液混合得到混合液,将所述混合液注入模具中后去除溶剂,熔融压片退火后得到量子点封装膜;/n(2)将倒装LED芯片固定于晶圆基板上,在步骤(1)得到的所述量子点封装膜上涂覆粘合层,将所述倒装LED芯片倒置于所述模具中,得到封装前体;/n(3)对步骤(2)得到的所述封装前体进行压合处理,脱模后完成封装。/n
【技术特征摘要】
1.一种量子点LED显示器件的晶圆级封装方法,其特征在于,所述封装方法包括以下步骤:
(1)将第一嵌段共聚物、第二嵌段共聚物以及量子点分散液混合得到混合液,将所述混合液注入模具中后去除溶剂,熔融压片退火后得到量子点封装膜;
(2)将倒装LED芯片固定于晶圆基板上,在步骤(1)得到的所述量子点封装膜上涂覆粘合层,将所述倒装LED芯片倒置于所述模具中,得到封装前体;
(3)对步骤(2)得到的所述封装前体进行压合处理,脱模后完成封装。
2.根据权利要求1所述的封装方法,其特征在于,步骤(1)所述第一嵌段共聚物以及第二嵌段共聚物分别独立地包括苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-异戊二烯共聚物、聚三羟基丁酸酯-聚乙二醇共聚物、苯乙烯-丁二烯-苯乙烯共聚物、苯乙烯-丁二烯-3-氯丙烯共聚物或聚乙二醇-聚己内酯-聚乙二醇共聚物中的任意一种或至少两种的组合;
优选地,所述第一嵌段共聚物以及第二嵌段共聚物分别独立地的数均分子量为1000~5000。
3.根据权利要求1或2所述的封装方法,其特征在于,步骤(1)所述熔融压片的温度为120~150℃;
优选地,步骤(1)所述熔融压片的压力为0.2~0.5MPa;
优选地,步骤(1)所述熔融压片的时间为1~3min;
优选地,步骤(1)所述量子点封装膜的厚度为10~30μm。
4.根据权利要求1-3任一项所述的封装方法,其特征在于,步骤(1)所述量子点包括绿光量子点和/或红光量子点;
优选地,所述绿光量子点包括ZnS量子点、ZnSe量子点、CdS量子点、CdSe量子点、InP量子点或钙钛矿量子点中的任意一种;
优选地,所述红光量子点包括ZnS量子点、ZnSe量子点、CdS量子点、CdSe量子点、InP量子点或钙钛矿量子点中的任意一种;
优优选地,步骤(1)所述量子点分散液的溶剂包括甲醇、乙醇、四氢呋喃、乙酸乙酯或丙酮中的任意一种或...
【专利技术属性】
技术研发人员:王恺,刘皓宸,吴丹,
申请(专利权)人:南方科技大学,
类型:发明
国别省市:广东;44
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