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本实用新型涉及半导体技术领域，具体公开了一种倒装芯片，其中，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置反射层，所述反射层上设置互联电极层，所述互联电极层与所述第一导电类...
该专利属于江苏新广联科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏新广联科技股份有限公司授权不得商用。

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