半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种新颖的半导体装置。根据工作温度调节具有栅极和背栅极的晶体管的背栅电压。利用温度检测电路测取工作温度。温度检测电路将温度信息以数字信号输出。该数字信号被输入到电压控制电路。电压控制电路输出对应于该数字信号的第一电压。背栅电压由对基准电压加上第一电压的电压决定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置。此外，本专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。或者，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(compositionofmatter)。本专利技术的一个方式涉及一种其驱动方法或其制造方法。注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。存储装置、显示装置、电光装置、蓄电装置、半导体电路以及电子设备有时包括半导体装置。
技术介绍
作为可以用于晶体管的半导体薄膜，硅类半导体材料被广泛地周知，而作为其他材料，氧化物半导体(OS：OxideSemiconductor)受到关注。作为氧化物半导体，例如，已知除了如氧化铟、氧化锌等单元金属氧化物之外还有多元金属氧化物。在多元金属氧化物中，尤其是有关In-Ga-Zn氧化物(以下也称为IGZO)的研究尤为火热。通过对IGZO的研究，在氧化物半导体中，发现了既不是单晶也不是非晶的CAAC(c-axisalignedcrystal本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：/n第一电路、第二电路、第三电路、第四电路和输出端子，/n其中，所述第一电路被配置为对所述第二电路供给电压，/n所述第二电路被配置为对所述输出端子供给第一电压并保持所述输出端子的电压，/n所述第三电路被配置为获取温度信息并将对应于所述温度信息的数字信号供给至所述第四电路，/n所述第四电路被配置为输出对应于所述数字信号的第二电压，/n并且，所述输出端子的电压为所述第一电压与所述第二电压的和。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171206 JP 2017-2342571.一种半导体装置，包括：
第一电路、第二电路、第三电路、第四电路和输出端子，
其中，所述第一电路被配置为对所述第二电路供给电压，
所述第二电路被配置为对所述输出端子供给第一电压并保持所述输出端子的电压，
所述第三电路被配置为获取温度信息并将对应于所述温度信息的数字信号供给至所述第四电路，
所述第四电路被配置为输出对应于所述数字信号的第二电压，
并且，所述输出端子...

【专利技术属性】
技术研发人员：大贯达也，松崎隆德，热海知昭，石津贵彦，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：日本;JP