一种半导体器件的制备方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体结构：衬底，形成在衬底第一区域上的第一介质层，部分覆盖第一介质层的第一栅极结构，形成在衬底第二区域上的第二介质层，部分覆盖第二介质层的第二栅极结构；第一介质层具有第一厚度，第二介质层具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度；执行第一刻蚀工艺，分别在未被第一栅极结构覆盖的位置处和未被第二栅极结构覆盖的位置处刻蚀第一介质层和第二介质层，以使第一介质层和第二介质层有第一预定厚度被去除，第一预定厚度小于等于第二厚度；在第二区域上形成光刻胶层；执行第二刻蚀工艺，在未被第一栅极结构覆盖的位置处刻蚀第一介质层，以使第一介质层有第二预定厚度被去除。

A preparation method of semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
在半导体器件中，尤其是LSI(LargeScaleIntegratedcircuit，大规模集成电路)的半导体器件，多个晶体管整体地形成在器件的衬底上。然而，所有晶体管的工作电压很少会相同；通常，包括在高电压下工作的HVMOS(高电压晶体管)、在低电压下工作的LVMOS(低电压晶体管)和在低低电压下工作的LLVMOS(低低电压晶体管)等。然而，在衬底上同时制备形成各种工作电压的晶体管时，由于各晶体管的结构不同，在部分晶体管制备工艺条件满足时，另一部分晶体管的制备可能已经出现问题，最终给器件性能带来不利影响。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例为解决
技术介绍
中存在的至少一个问题而提供一种半导体器件的制备方法。为达到上述目的，本专利技术的技术方案是这样实现的：本专利技术实施例提供了一种半导体器件的制备方法，所述方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，形成在所述衬底的第一区域上的第一介质层，部分覆盖所述第一介质层的第一栅极结构，形成在所述衬底的第二区域上的第二介质层，部分覆盖所述第二介质层的第二栅极结构；其中，所述第一介质层具有第一厚度，所述第二介质层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；执行第一刻蚀工艺，分别在未被所述第一栅极结构覆盖的位置处和未被所述第二栅极结构覆盖的位置处刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层，以使所述第一介质层和所述第二介质层有第一预定厚度被去除，所述第一预定厚度小于等于所述第二厚度；在所述第二区域上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜执行第二刻蚀工艺，在未被所述第一栅极结构覆盖的位置处刻蚀所述第一介质层，以使所述第一介质层有第二预定厚度被去除。上述方案中，被所述第一栅极结构覆盖的所述第一介质层形成为第一栅介质层，被所述第二栅极结构覆盖的所述第二介质层形成为第二栅介质层；由所述第一栅极结构和所述第一栅介质层定义的第一晶体管的工作电压高于由所述第二栅极结构和所述第二栅介质层定义的第二晶体管的工作电压。上述方案中，所述提供半导体结构，包括：提供衬底；在所述衬底的第一区域内形成第一阱区，在所述衬底的第二区域内形成第二阱区；所述第一阱区的深度大于所述第二阱区的深度；在所述第一阱区上形成所述第一介质层，在所述第二阱区上形成所述第二介质层。上述方案中，所述第一阱区的掺杂类型与所述第二阱区的掺杂类型不同。上述方案中，所述第一栅极结构包括第一多晶硅栅极和包覆所述第一多晶硅栅极的第一间隔层，所述第二栅极结构包括第二多晶硅栅极和包覆所述第二多晶硅栅极的第二间隔层；所述执行第一刻蚀工艺，还包括分别刻蚀位于所述第一多晶硅栅极上表面的所述第一间隔层和位于所述第二多晶硅栅极上表面的所述第二间隔层。上述方案中，所述在所述第二区域上形成光刻胶层，使得所述光刻胶层覆盖所述第二多晶硅栅极的上表面。上述方案中，执行所述第一刻蚀工艺后，位于所述第一多晶硅栅极上表面的所述第一间隔层具有第三厚度；所述第二预定厚度等于所述第三厚度。上述方案中，所述第一预定厚度与所述第二预定厚度的总和小于所述第一厚度，在所述第一区域上未被所述第一栅极结构覆盖的位置处还具有剩余的所述第一介质层。上述方案中，所述方法还包括：去除所述光刻胶层；在所述衬底、所述第一栅极结构和所述第二栅极结构上形成图案化的自对准阻挡层，图案化的所述自对准阻挡层暴露自对准区域；在所述自对准区域形成金属半导体化合物层；去除所述自对准阻挡层以及剩余的所述第一介质层。上述方案中，所述方法应用于三维存储器的外围电路的制备工艺中。本专利技术实施例所提供的半导体器件的制备方法，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，形成在所述衬底的第一区域上的第一介质层，部分覆盖所述第一介质层的第一栅极结构，形成在所述衬底在第二区域上的第二介质层，部分覆盖所述第二介质层的第二栅极结构；其中，所述第一介质层具有第一厚度，所述第二介质层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；执行第一刻蚀工艺，分别在未被所述第一栅极结构覆盖的位置处和未被所述第二栅极结构覆盖的位置处刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层，以使所述第一介质层和所述第二介质层有第一预定厚度被去除，所述第一预定厚度小于等于所述第二厚度；在所述第二区域上形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜执行第二刻蚀工艺，在未被所述第一栅极结构覆盖的位置处刻蚀所述第一介质层，以使所述第一介质层有第二预定厚度被去除。如此，通过执行两步刻蚀工艺完成第一介质层和第二介质层的刻蚀，由于第一介质层的厚度较厚，在执行第二刻蚀工艺以进一步刻蚀第一介质层时，通过采用光刻胶层覆盖所述第二区域，避免了第二区域上的衬底以及第二栅极结构受到损伤，从而提高了产品良率。本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。附图说明图1a至1b为相关技术中半导体器件在制备过程中的器件结构剖面示意图；图2为本专利技术实施例提供的半导体器件的制备方法的流程示意图；图3a至3e为本专利技术实施例提供的半导体器件在制备过程中的器件结构剖面示意图。具体实施方式下面将参照附图更详细地描述本专利技术公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本专利技术的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本专利技术，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本专利技术，并且能够将本专利技术公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”、“与……直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，形成在所述衬底的第一区域上的第一介质层，部分覆盖所述第一介质层的第一栅极结构，形成在所述衬底的第二区域上的第二介质层，部分覆盖所述第二介质层的第二栅极结构；其中，所述第一介质层具有第一厚度，所述第二介质层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；/n执行第一刻蚀工艺，分别在未被所述第一栅极结构覆盖的位置处和未被所述第二栅极结构覆盖的位置处刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层，以使所述第一介质层和所述第二介质层有第一预定厚度被去除，所述第一预定厚度小于等于所述第二厚度；/n在所述第二区域上形成光刻胶层；/n以所述光刻胶层为掩膜执行第二刻蚀工艺，在未被所述第一栅极结构覆盖的位置处刻蚀所述第一介质层，以使所述第一介质层有第二预定厚度被去除。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底，形成在所述衬底的第一区域上的第一介质层，部分覆盖所述第一介质层的第一栅极结构，形成在所述衬底的第二区域上的第二介质层，部分覆盖所述第二介质层的第二栅极结构；其中，所述第一介质层具有第一厚度，所述第二介质层具有第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度；
执行第一刻蚀工艺，分别在未被所述第一栅极结构覆盖的位置处和未被所述第二栅极结构覆盖的位置处刻蚀所述第一介质层和所述第二介质层，以使所述第一介质层和所述第二介质层有第一预定厚度被去除，所述第一预定厚度小于等于所述第二厚度；
在所述第二区域上形成光刻胶层；
以所述光刻胶层为掩膜执行第二刻蚀工艺，在未被所述第一栅极结构覆盖的位置处刻蚀所述第一介质层，以使所述第一介质层有第二预定厚度被去除。


2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，被所述第一栅极结构覆盖的所述第一介质层形成为第一栅介质层，被所述第二栅极结构覆盖的所述第二介质层形成为第二栅介质层；由所述第一栅极结构和所述第一栅介质层定义的第一晶体管的工作电压高于由所述第二栅极结构和所述第二栅介质层定义的第二晶体管的工作电压。


3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述提供半导体结构，包括：
提供衬底；
在所述衬底的第一区域内形成第一阱区，在所述衬底的第二区域内形成第二阱区；所述第一阱区的深度大于所述第二阱区的深度；
在所述第一阱区上形成所述第一介质层，在所述第二阱区上形成所述第二介质层。


4.根据权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志雄，谢海波，梁玲，彭绍扬，李刚，赵华志，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42