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本发明实施例公开了一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体结构：衬底，形成在衬底第一区域上的第一介质层，部分覆盖第一介质层的第一栅极结构，形成在衬底第二区域上的第二介质层，部分覆盖第二介质层的第二栅极结构；第一介质层具有第一厚度，第二介质...
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