基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器制造技术

基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器，包括：交流电源U

【技术实现步骤摘要】
基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器
本专利技术涉及电力电子电能变换
，具体涉及一种基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器。
技术介绍
随着现代电力电子技术的工业化发展，整流技术已较为成熟，而电力电子装置的广泛应用，尤其是一些非线性电力电子设备产生的谐波污染使得电能的传输、转换及利用的效率降低，严重时可导致设备发生故障甚至损坏。目前所采用的功率因数校正(PFC)技术，通常在交流输入侧加入桥式整流电路，以实现交流-直流变换，减小谐波危害。在传统的三电平整流器中，随着功率等级的提高，对功率变换器的研究朝着高频化，高功率密度发展，在长时间工作下的高频电路，产生的高频电流会使电感发热，加大损耗，因此需要使用散热器等途径进行散热。与此同时，也带来了电磁干扰(EMI)的问题，其中，共模干扰的传输路径比较复杂，电磁兼容问题不易实现。为了提高系统的抗干扰能力、供电可靠性及工作效率，一些无桥BoostPFC拓扑结构被相继提出，并逐渐成为当下研究的一个热点。
技术实现思路
为克服传统三电平整流技术中存在的谐波含量高、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器，其特征在于包括：/n双耦合磁绕组N

【技术特征摘要】
1.基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器，其特征在于包括：
双耦合磁绕组N1、双耦合磁绕组N2、电容C1、电容C2、开关管Q1～Q4、二极管D1～D8；
交流电源Ug的一端、二极管D1的阴极、双耦合磁绕组N1的一端，共同连接于结点c；
交流电源Ug的另一端、二极管D2的阴极、双耦合磁绕组N2的一端，共同连接于结点d；
双耦合磁绕组N1的另一端、二极管D3的阳极、开关管Q1的集电极，共同连接于结点a；
双耦合磁绕组N2的另一端、二极管D4的阳极，共同连接于结点b；
二极管D3的阴极、二极管D5的阴极，共同连接于结点e；
二极管D4的阴极、二极管D5的阳极、开关管Q2的集电极、开关管Q3的发射极、开关管Q4的集电极，共同连接于结点f；
二极管D1的阳极、二极管D2的阳极、二极管D8的阴极、开关管Q1的发射极、开关管Q2的发射极，共同连接于结点g；
开关管Q3的集电极与二极管D6的阴极相连；
开关管Q4的发射极与二极管D7的阳极相连；
电容C1的正极、负载R的一端，共同连接于结点m，所述结点m与结点e相连；
电容C1的负极、电容C2的正极、二极管D6的阳极、二极管D7的阴极，共同连接于结点o；
电容C2的负极、二极管D8的阳极、负载R的另一端，共同连接于结点n。


2.根据权利要求1所述基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器，其特征在于：所述双耦合磁绕组N1包括绕组N11、绕组N12，绕组N11、N21采用共芯同向绕制，其电感L1；
双耦合磁绕组N2包括绕组N21、绕组N22；绕组N12、N22采用共芯反向绕制，其电感L2；
双耦合磁绕组N1、N2材质相同，磁芯匹配，构成两个等值电感。


3.根据权利要求1所述基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器，其特征在于：该整流器电路中，结点f、o共同构成双向管插入式结构。


4.根据权利要求1所述基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器，其特征在于：该整流器电路中，二极管D1、D2为低频二极管，二极管D3～D8为快恢复二极管，二极管D4、D8用于电压钳位，保证功率单向流通。


5.根据权利要求1所述基于双向管插入式的单相双升压无桥五电平整流器，其特征在于：该整流器电路中，开关管Q1～Q4均...

【专利技术属性】
技术研发人员：马辉，郑凯通，鲁海鹏，
申请(专利权)人：三峡大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42