一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法技术

本发明专利技术涉及LED技术领域，具体涉及一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，该方法的工艺流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具体步骤为1）MSA：在GAN上定义出LED芯片图形大小；2）CBL：沉积一层SiO

【技术实现步骤摘要】
一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法
本专利技术涉及LED
，具体涉及一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法。
技术介绍
目前第三代光源LED以其具体节能环保的优越性已逐步取代传统光源。LED光源的发光核心在于芯片的制作以及光效的提取。目前业内LED芯片制作主要为正装结构芯片，即利用一系列透过、反射等原理将外延GAN发出的光最大限度的从芯片正面发出来，减小芯片背面以及侧壁等方面对光造成的吸收，从而实现光效最大化。目前芯片中游芯片端未将外延出光效益达到100%，其中一部分被金属电极遮挡，虽然金属电极下会有一定厚度的Al层，金属电极的厚度相对也会遮光。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，通过在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层，增加侧向光于金属电极上的反射，达到亮度最大化效益。为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，该方法的工艺流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于，该方法的工艺流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具体步骤如下：/n1）MSA：在GAN上定义出LED芯片图形大小；/n2）CBL：沉积一层SiO

【技术特征摘要】
1.一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于，该方法的工艺流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具体步骤如下：
1）MSA：在GAN上定义出LED芯片图形大小；
2）CBL：沉积一层SiO2电流阻挡层；
3）TCL：再沉积一层导电层；
4）PAD：在镀上金属电极用于导电作业；
5）NDBR：在金属电极侧面镀上一层高反射DBR层；
6）PSV：最后镀上一层SiO2，作为芯片保护层。


2.如权利要求1所述的一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，其特征在于：步骤5）中所述高反射DBR层由SiO2与Ti3O5交替镀膜而成，且所述高反射DBR层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王帅，程叶，杨猛，王利明，凌华山，
申请(专利权)人：聚灿光电科技宿迁有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32