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本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种在金属电极侧向包覆高反射膜提高光效的方法，该方法的工艺流程包括MSA、CBL、TCL、PAD、NDBR、PSV，具体步骤为1）MSA：在GAN上定义出LED芯片图形大小；2）CBL：沉积一层SiO...
该专利属于聚灿光电科技(宿迁)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过聚灿光电科技(宿迁)有限公司授权不得商用。

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