存储器及其形成方法技术

一种存储器及其形成方法，存储器包括：基底，所述基底包括擦除区和浮栅区，所述浮栅区与所述擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于所述擦除区两侧；位于所述浮栅区上的浮栅极结构；位于所述浮栅极结构上的控制栅结构；位于所述擦除区和浮栅区两侧的基底上的字线栅结构，所述字线栅结构与部分控制栅结构相接触，且所述浮栅极结构和所述字线栅结构之间具有第一侧墙。所述存储器的性能较好。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种存储器及其形成方法。
技术介绍
在目前的半导体产业中，集成电路产品主要可分为三大类型：模拟电路、数字电路和数/模混合电路，其中，存储器是数字电路中的一个重要类型。而在存储器中，近年来快闪存储器(FlashMemory，简称闪存)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储信息，且具有集成度高、存储速度快、易于擦除和重写等优点，因此，在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。快闪存储器分为两种类型：叠栅(stackgate)快闪存储器和分栅(splitgate)快闪存储器。叠栅快闪存储器具有浮栅和位于浮栅的上方的控制栅。叠栅快闪存储器存在过擦除的问题。与叠栅快闪存储器不同的是，分栅快闪存储器在浮栅的一侧形成作为擦除栅极的字线。分栅快闪存储器能有效的避免过擦除效应。然而，现有的分栅快闪存储器的性能较差。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种存储器及其形成方法，以提高存储器的性能。为解决上述技术问题，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器，其特征在于，包括：/n基底，所述基底包括擦除区和浮栅区，所述浮栅区与所述擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于所述擦除区两侧；/n位于所述浮栅区上的浮栅极结构；/n位于所述浮栅极结构上的控制栅结构；/n位于所述擦除区和浮栅区两侧的基底上的字线栅结构，所述字线栅结构与部分控制栅结构相接触，且所述浮栅极结构和所述字线栅结构之间具有第一侧墙。/n

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括擦除区和浮栅区，所述浮栅区与所述擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于所述擦除区两侧；
位于所述浮栅区上的浮栅极结构；
位于所述浮栅极结构上的控制栅结构；
位于所述擦除区和浮栅区两侧的基底上的字线栅结构，所述字线栅结构与部分控制栅结构相接触，且所述浮栅极结构和所述字线栅结构之间具有第一侧墙。


2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：位于擦除区上的擦除栅极结构，所述擦除栅极结构位于相邻浮栅极结构之间。


3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：位于擦除区内的源区；分别位于所述浮栅极结构、控制栅结构和字线栅结构两侧的基底内的漏区。


4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，还包括：位于所述控制栅结构表面的第二侧墙。


5.如权利要求4所述的存储器，其特征在于，还包括：位于所述第二侧墙和控制栅结构侧壁表面的第三侧墙，且所述第三侧墙和控制栅结构暴露出部分浮栅极结构顶部表面。


6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述控制栅结构包括：控制栅介质层和位于控制栅介质层表面的控制栅极层；所述控制栅介质层包括：氧化层、位于氧化层表面的氮化层和位于氮化层表面的氧化层；所述控制栅极层的材料包括：多晶硅。


7.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述浮栅极结构包括：浮栅介质层和位于浮栅介质层表面的浮栅电极层；所述浮栅介质层的材料包括：氧化硅；所述浮栅电极层的材料包括：多晶硅。


8.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括擦除区和浮栅区，所述浮栅区与所述擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于所述擦除区两侧；
在所述擦除区和浮栅区上形成浮栅材料膜；在所述浮栅区上的浮栅材料膜表面形成控制栅结构，暴露出擦除区上的浮栅材料膜；
刻蚀所述浮栅材料膜，直至暴露出基底表面，在所述浮栅区上形成浮栅极结构，所述浮栅极结构侧壁包括相对的第一侧和第二侧，且所述第一侧与浮栅区相邻；
在所述浮栅极结构第一侧的侧壁表面形成第一侧墙；
在所述控制栅结构和第一侧墙侧壁表面形成字线栅结构，且所述字线栅结构与部分控制栅结构相接触。


9.如权利要求8所述的存储器的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述浮栅材料膜之后，形成所述控制栅结构之前，在所述浮栅材料膜表面形成掩膜层，所述掩膜层内具有掩膜开口，且所述掩膜开口暴露出擦除区和浮栅区上的浮栅材料膜表面。


10.如权利要求9所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述控制栅结构的形成方法包括：在所述掩膜开口的底部和侧壁表面、以及掩膜层顶部表面形成控制栅介质材料膜；在所述控制栅介质材料膜表面形成控制栅极材料膜；刻蚀所述控制栅介质材料膜和控制栅极材料膜，直至暴露出浮栅材料膜，在所述浮栅区上形成所述控制栅结构。


11.如权利要求10所述的存储器的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述控制栅极材料膜之后，刻蚀所述控制栅介质材料膜和控制栅极材料膜之前，在所述控制栅极材料膜的侧壁表面形成第二侧墙材料膜；刻蚀所述第二侧墙材料膜和控制栅极材料膜，直至暴露出控制栅介质材料膜，使第二侧墙材料膜形成第二侧墙，使所述控制栅极材料膜形成控制栅极层；形成所述控制栅极层和第二侧墙之后，刻蚀所述控制栅介质材料膜，直至暴露出浮栅材料膜和掩膜层顶部表面，在所述掩膜层侧壁表面和部分掩膜开口底部表面形成所述控制栅介质层。


12.如权利要求11所述的存储器的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述第二侧墙和控制栅极层之后，刻蚀所述控制栅介质材料膜之前，在所述控制栅极层暴露出的顶部表面形成第一保护层；以所述第一保护层和第二侧墙...

【专利技术属性】
技术研发人员：王旭峰，于涛，李冰寒，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31