温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种存储器及其形成方法，存储器包括：基底，所述基底包括擦除区和浮栅区，所述浮栅区与所述擦除区邻接，且所述浮栅区分别位于所述擦除区两侧；位于所述浮栅区上的浮栅极结构；位于所述浮栅极结构上的控制栅结构；位于所述擦除区和浮栅区两侧的基底上的字线栅...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。