封装结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及封装技术领域，具体涉及一种封装结构及其制备方法，封装结构包括：第一基板，其上设有至少一个第一芯片和第一器件，且第一芯片的高度大于第一器件的高度；第二基板，电连接于第一基板的上方，第二基板上设有开口，且第二基板靠近第一器件的表面上设有第二器件；散热装置，设于开口处。由于第一基板上设置的第一芯片的功率较大，第一芯片的高度相比第一器件的高度较高，使得在第一基板与第二基板之间的纵向空间存在额外的空间，通过设置第二基板，且第二基板上设置第二器件，能够充分利用第一基板与第二基板的纵向空间，满足高密度封装的需求。

【技术实现步骤摘要】
封装结构及其制备方法
本专利技术涉及封装
，具体涉及一种封装结构及其制备方法。
技术介绍
对于功率较大的芯片，通常采用倒装的方式电连接在基板上，并在上方设置散热盖进行散热，保证芯片的正常使用。如图1所示，现有的带散热盖5的倒装封装结构，一般是底部设置底部基板1，底部基板1上贴装有倒装芯片2和一些表贴器件3，通过底部基板1的下表面上设置的锡球4与其他结构实现电连接，在底部基板1上面设置散热盖5，散热盖5的主要作用是将倒装芯片2产生的热量传导出去。由于该结构中的倒装芯片2功率较大，厚度远远大于表贴器件3的厚度，使得在散热盖5贴装在倒装芯片2的背面上后，纵向上会形成多余的未被利用的空间，造成空间的浪费。
技术实现思路
因此，本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的带散热盖的倒装封装结构纵向上存在未被利用的空间的缺陷，从而提供一种能够充分利用纵向空间的封装结构及其制备方法。为了解决上述问题，本专利技术第一方面提供了一种封装结构，包括：第一基板，其上设有至少一个第一芯片和第一器件，且所述第一芯片的高度大于所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：/n第一基板(6)，其上设有至少一个第一芯片(8)和第一器件(9)，且所述第一芯片(8)的高度大于所述第一器件(9)的高度；/n第二基板(7)，电连接于所述第一基板(6)的上方，所述第二基板(7)上设有开口，且所述第二基板(7)靠近所述第一器件(9)的表面上设有第二器件(10)；/n散热装置，设于所述开口处。/n

【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
第一基板(6)，其上设有至少一个第一芯片(8)和第一器件(9)，且所述第一芯片(8)的高度大于所述第一器件(9)的高度；
第二基板(7)，电连接于所述第一基板(6)的上方，所述第二基板(7)上设有开口，且所述第二基板(7)靠近所述第一器件(9)的表面上设有第二器件(10)；
散热装置，设于所述开口处。


2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述开口正对所述第一芯片(8)设置。


3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片(8)的面积、所述散热装置的面积、所述开口的面积依次增大。


4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述散热装置通过散热胶设于所述第一芯片(8)远离所述第一基板(6)的表面上。


5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述散热装置为单片式散热盖(5)。


6.根据权利要求1-5中任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片(8)为倒装芯片，所述第一器件(9)包括被动元件；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪寿杰，曹立强，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32