【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁传感器的制造方法及磁传感器集合体
本专利技术涉及磁传感器的制造方法及磁传感器集合体。
技术介绍
作为公报中记载的现有技术，存在下述磁阻抗效应元件，其具备在非磁性基板上形成的薄膜磁铁(其由硬磁体膜形成)、覆盖前述薄膜磁铁上方的绝缘层、在前述绝缘层上形成的被赋予了单轴各向异性的感磁部(其由一个或多个长方形形状的软磁体膜形成)、和将前述感磁部的多个软磁体膜电连接的导体膜，在前述感磁部的长边方向上，前述薄膜磁铁的两端部位于前述感磁部的两端部的外侧，前述绝缘层在前述薄膜磁铁的各个端部上具有开口部，在前述绝缘层上，在前述薄膜磁铁与前述感磁部之间形成磁路的磁轭部(其由软磁体膜形成)介由前述绝缘层的开口部在从前述薄膜磁铁的端部至前述感磁部的端部附近的范围内形成(参见专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2008-249406号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，对于使用了磁阻抗效应元件的磁传感器而言，对磁阻抗效应元件施加偏置磁场，从而使得磁阻抗效应元件的...
【技术保护点】
1.磁传感器的制造方法，其包括下述工序：/n硬磁体层形成工序，在圆盘状的非磁性基板上形成将被加工成薄膜磁铁的硬磁体层；/n软磁体层形成工序，在所述基板上的所述硬磁体层上层叠形成软磁体层，所述软磁体层将被加工成对磁场进行感应的感应元件；和/n硬磁体层充磁工序，沿圆盘状的所述基板的圆周方向对所述硬磁体层进行充磁。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171205 JP 2017-2332141.磁传感器的制造方法，其包括下述工序：
硬磁体层形成工序，在圆盘状的非磁性基板上形成将被加工成薄膜磁铁的硬磁体层；
软磁体层形成工序，在所述基板上的所述硬磁体层上层叠形成软磁体层，所述软磁体层将被加工成对磁场进行感应的感应元件；和
硬磁体层充磁工序，沿圆盘状的所述基板的圆周方向对所述硬磁体层进行充磁。
2.如权利要求1所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述硬磁体层充磁工序中，
使在沿着所述基板的圆周方向的方向上产生所述硬磁体层的矫顽力以上的磁场的充磁构件沿直径方向移动，并且使所述基板绕中心旋转，由此进行所述充磁。
3.如权利要求2所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述充磁构件在所述圆周方向上配置N极和S极，保持为自所述基板隔开预定距离的状态，对所述硬磁体层施加比所述硬磁体层的矫顽力大的磁场。
4.如权利要求1～3中任一项所述的磁传感器的制造方法，其特征在于，所述软磁体层形成工序中，
利用磁控溅射形成所述软磁体层，通过所述磁控溅射中使用的磁场对与所述基板的圆周方向交叉的方向赋予单轴磁各向异性。
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