三维存储器及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种三维存储器及其制造方法；其中，方法包括：提供基底结构；所述基底结构至少包括：第一子堆叠结构；穿过所述第一子堆叠结构的第一子沟道孔；位于所述第一子沟道孔中的第一牺牲层；位于所述第一子堆叠结构及所述第一牺牲层上的第二子堆叠结构；穿过所述第二子堆叠结构且延伸至所述第一牺牲层的第二子沟道孔；形成第二牺牲层；所述第二牺牲层至少覆盖所述第二子沟道孔的侧壁；所述第二牺牲层的厚度随着所述第二子沟道孔深度的增加而减小；进行第一刻蚀，以去除所述第二牺牲层及部分第二子堆叠结构；在进行第一刻蚀时，刻蚀气体对所述第二子堆叠结构的刻蚀速度大于或等于对所述第二牺牲层的刻蚀速度。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种三维存储器的制造方法。
技术介绍
三维存储器通过垂直堆叠多层数据存储单元来解决二维或者平面闪存带来的限制，支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，进而有效降低成本和能耗。然而，随着垂直堆叠数据存储单元的层数的不断增加，在堆叠结构中进行深孔刻蚀一次性形成沟道孔的难度越来越高。实际应用中，采用子沟道孔叠加的制造方法来降低一次性形成沟道孔的工艺难度。子沟道孔叠加的制造方法具体为：首先，可以将三维存储器的堆叠结构规划成多个子堆叠结构，针对多个子堆叠结构，对应地将沟道孔规划成多个子沟道孔；接着，在制造三维存储器的过程中，在最底层的子堆叠结构上先进行刻蚀形成贯穿最底层的子堆叠结构的最底层子沟道孔，再在最底层的子堆叠结构上依次形成第二层的子堆叠结构及第二层的子沟道孔，接下来，在第二层的子堆叠结构及第二层的子沟道孔上依次形成第三层的子堆叠结构及第三层的子沟道孔，重复上述方法，直到形成最终的堆叠结构和沟道孔。其中，叠加时每个子堆叠结构中的子沟道孔均连通，所有连通的子沟道孔一起形成最终的沟道孔。然而，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供基底结构；所述基底结构至少包括：第一子堆叠结构；穿过所述第一子堆叠结构的第一子沟道孔；位于所述第一子沟道孔中的第一牺牲层；位于所述第一子堆叠结构及所述第一牺牲层上的第二子堆叠结构；穿过所述第二子堆叠结构且延伸至所述第一牺牲层的第二子沟道孔；/n形成第二牺牲层；所述第二牺牲层至少覆盖所述第二子沟道孔的侧壁；所述第二牺牲层的厚度随着所述第二子沟道孔深度的增加而减小；/n进行第一刻蚀，以去除所述第二牺牲层及部分第二子堆叠结构；在进行第一刻蚀时，刻蚀气体对所述第二子堆叠结构的刻蚀速度大于或等于对所述第二牺牲层的刻蚀速度。/n

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供基底结构；所述基底结构至少包括：第一子堆叠结构；穿过所述第一子堆叠结构的第一子沟道孔；位于所述第一子沟道孔中的第一牺牲层；位于所述第一子堆叠结构及所述第一牺牲层上的第二子堆叠结构；穿过所述第二子堆叠结构且延伸至所述第一牺牲层的第二子沟道孔；
形成第二牺牲层；所述第二牺牲层至少覆盖所述第二子沟道孔的侧壁；所述第二牺牲层的厚度随着所述第二子沟道孔深度的增加而减小；
进行第一刻蚀，以去除所述第二牺牲层及部分第二子堆叠结构；在进行第一刻蚀时，刻蚀气体对所述第二子堆叠结构的刻蚀速度大于或等于对所述第二牺牲层的刻蚀速度。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材料包括多晶硅。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层的顶面覆盖有氧化层；在进行所述第一刻蚀时，同时去除所述氧化层。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
去除所述第一牺牲层。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料包括光刻胶或无定型碳。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成第二牺牲层的步骤包括：
通过化学气相沉积工艺或原子层沉积工艺形成所述第二牺牲层。


7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在沉积第二牺牲层的过程中，控制所述第二牺牲层位于所述侧壁不同区域的沉积速度，以使沉积在侧壁的所述第二牺牲层的厚度随着所述第二子沟道深度的增加而减小。


8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行第一刻蚀，包括：
采用第一干法刻蚀工艺进行第一刻蚀；其中所述第一干法刻蚀通过刻蚀气体的氟源来执行...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘沙沙，毛晓明，高晶，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42