【技术实现步骤摘要】
一种用于DKDP晶体生长的新晶架
本专利技术涉及晶体生长领域，特别是一种磷酸二氘钾（DKDP）晶体生长。
技术介绍
KDP类晶体具有优良的非线性光学性能，广泛应用于激光的调谐和调频高
，是当前唯一可用于激光核聚变装置的激光调谐和调制材料。特别是作为三倍频和调制的材料，DKDP晶体比KDP晶体更具优势。目前大部分商用的KDP/DKDP晶体均采用传统的水溶液降温生长法及片状籽晶生长技术，籽晶上先用钻头打四个通孔，然后再用尼龙绳或螺栓穿过籽晶上的通孔将籽晶固定在载晶架上。目前DKDP晶体的籽晶加工及固定方式存在着明显的缺陷，一方面籽晶加工打孔的过程中容易发生崩裂，严重时会导致籽晶破裂不能正常使用；另一方面晶体生长的过程中通孔周边应力集中，容易诱发单斜相变，使正常的四方相生长过程不能顺利进行。
技术实现思路
本专利技术在于提供一种用于DKDP晶体生长的辅助小晶架。在原有的载晶架基础上用氯仿连接一个辅助小晶架，小晶架用亚克力材料制作，呈梯形圆盘结构直径略小于籽晶边长，圆盘的上表面中心留一个定位柱，上下表面之间加工成45°大倒角。籽晶用AB胶固定在小晶架上，该装置可以杜绝籽晶加工中的崩裂问题并减少发生单斜相变的几率。附图说明图1、辅助小晶架；图2、载晶架；图3、安装使用示意图。具体实施方式如图1，用亚克力材料制作一个直径略小于籽晶边长的梯形圆盘结构，圆盘的上表面中心留一个定位柱，上下表面之间加工45°大倒角。如图2，在载晶架的中心部位钻一个...
【技术保护点】
1.一种用于DKDP晶体生长的新晶架，其特征在于，在原有的载晶架基础上用氯仿连接一个辅助小晶架，小晶架用亚克力材料制作，呈梯形圆盘结构直径略小于籽晶边长，圆盘的上表面中心留一个定位柱，上下表面之间加工成45°大倒角。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于DKDP晶体生长的新晶架，其特征在于，在原有的载晶架基础上用氯仿连接一个辅助小晶架，小晶架用亚克...
【专利技术属性】
技术研发人员：林羽，陈啸，林敢，郑景熙，林挺，陈伟，张星，陈秋华，
申请(专利权)人：福建福晶科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。