双重构图工艺光刻标记的改善方法技术

本申请公开了一种双重构图工艺光刻标记的改善方法，方法包括：提供一个光刻标记光栅；确定双重构图工艺的侧墙壁厚；根据所述光刻标记光栅的尺寸和所述侧墙壁厚确定所述光栅的分割间距；根据所述分割间距将光栅分割为若干部分；执行所述双重构图工艺。本申请通过将用于构成光刻标记的光栅(grating)进行分割，以在经过双重构图工艺之后防止光刻标记对比度的下降，从而提升了标记测量的准确性。

【技术实现步骤摘要】
双重构图工艺光刻标记的改善方法
本申请涉及半导体制造
，具体涉及一种双重构图工艺光刻标记的改善方法。
技术介绍
随着半导体器件尺寸不断缩小，光刻关键尺寸(CD)逐渐接近甚至超过了光学光刻的物理极限，由此给半导体制造技术尤其是光刻技术提出了更加严峻的挑战。多重构图技术也适时而至，如最常用的双重构图(DOUBLEPATTERNING，DP)技术是通过两次构图形成最终的目标图案，以获得单次构图所不能达到的光刻极限。双重构图技术目前包括使用侧墙(SPACER)的SADP(Self-alignedDoublePatterning，自对准双重构图)和SARP(SELFALIGNEDREVERSEPATTERNING，自对准反相构图)。但是，由于光刻工艺上使用的用于晶圆对准的光刻标记(KEY或MARK)也会在侧墙上成像(IMAGING)，由于侧墙壁很窄，导致在侧墙上的光刻标记的对比度(CONTRAST)也就比较低，因此在进行标记测量时，很可能因为光刻标记的信号强度太弱，出现测量错误或者噪声。专利技术内容本申请的目本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双重构图工艺光刻标记的改善方法，其特征在于，所述方法包括：/n提供一个光刻标记光栅；/n确定双重构图工艺的侧墙壁厚；/n根据所述光刻标记光栅的尺寸和所述侧墙壁厚确定所述光栅的分割间距；/n根据所述分割间距将光栅分割为若干部分；/n执行所述双重构图工艺。/n

【技术特征摘要】
1.一种双重构图工艺光刻标记的改善方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一个光刻标记光栅；
确定双重构图工艺的侧墙壁厚；
根据所述光刻标记光栅的尺寸和所述侧墙壁厚确定所述光栅的分割间距；
根据所述分割间距将光栅分割为若干部分；
执行所述双重构图工艺。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻标记为对准标记，和/或，套刻标记。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙壁厚大于0，且小于等于0.03um。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻标记光栅的尺寸为1um。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述分割间距为0.2um...

【专利技术属性】
技术研发人员：田范焕，梁时元，权炳仁，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11