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本申请公开了一种双重构图工艺光刻标记的改善方法，方法包括：提供一个光刻标记光栅；确定双重构图工艺的侧墙壁厚；根据所述光刻标记光栅的尺寸和所述侧墙壁厚确定所述光栅的分割间距；根据所述分割间距将光栅分割为若干部分；执行所述双重构图工艺。本申请通...该专利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司授权不得商用。