本实用新型专利技术提供了一种光电二极管芯片封装装置，包括：管帽，底座和光窗片，管帽倒扣在底座上面，管帽内部设置有待封装光电二极管芯片；管帽顶部设置有光窗孔，光窗片设置于管帽的光窗孔位置，光窗片上设置有金属镀膜，金属镀膜中间位置有通光孔，通光孔的直径为0.5mm～1mm。本实用新型专利技术缓解了现有技术中存在的光模块的接收端收到的光信号易受发送端信号干扰、串扰大的技术问题。
【技术实现步骤摘要】
光电二极管芯片封装装置
本技术涉及光模块
，尤其是涉及一种光电二极管芯片封装装置。
技术介绍
在光纤通信中，灵敏度成为限制光模块发展的一个重要因素，特别是在高速率通信网络中，通过提高光模块的灵敏度，使同一个光线路终端(OpticalLineTerminal，OLT)搭配更多的光网络单元(OpticalNetworkUnit，ONU)，成为降低光通信成本的一个重要手段。市面上现有平窗雪崩光电二极管(AvalanchePhotonDiode，APD)方案，光窗较大，由于光窗材质为玻璃，晶体管外形(TransistorOutline，TO)内部芯片相当于裸露在外面，使得光模块的接收端收到的光信号易受发送端信号干扰，串扰大。
技术实现思路
有鉴于此，本技术的目的在于提供一种光电二极管芯片封装装置，以缓解了现有技术中存在的光模块的接收端收到的光信号易受发送端信号干扰、串扰大的技术问题。第一方面，本技术实施例提供了一种光电二极管芯片封装装置，包括：管帽，底座和光窗片，所述管帽倒扣在所述底座上面，所述管帽内部设置有待封装光电二极管芯片；所述管帽顶部设置有光窗孔，所述光窗片设置于所述管帽的光窗孔位置，所述光窗片上设置有金属镀膜，所述金属镀膜中间位置有通光孔，所述通光孔的直径为0.5mm～1mm。进一步地，所述光电二极管芯片封装装置的封装方式为TO封装。进一步地，所述待封装光电二极管芯片为雪崩光电二极管芯片。进一步地，所述光窗片的材质为玻璃片。第二方面，本技术实施例还提供了一种光电二极管芯片封装装置，包括：管帽，底座，光窗片和金属挡片，所述管帽倒扣在所述底座上面，所述管帽内部设置有待封装光电二极管芯片；所述管帽顶部设置有光窗孔，所述光窗片设置于所述管帽的光窗孔位置，所述金属挡片设覆盖在所述光窗片上方，所述金属挡片中间位置设有通光孔，所述通光孔的直径为0.5mm～1mm。进一步地，所述光电二极管芯片封装装置的封装方式为TO封装。进一步地，所述待封装光电二极管芯片为雪崩光电二极管芯片。进一步地，所述光窗片的材质为玻璃片。第三方面，本技术实施例还提供了一种光电二极管芯片封装装置，包括：管帽，底座和光窗片，所述管帽倒扣在所述底座上面，所述管帽内部设置有待封装光电二极管芯片；所述管帽顶部设置有光窗孔，所述光窗片设置于所述管帽的光窗孔位置，所述光窗孔的直径为0.5mm～1mm。进一步地，所述光电二极管芯片封装装置的封装方式为TO封装。本技术实施例带来了以下有益效果：本技术实施例提供了一种光电二极管芯片封装装置，通过在光窗表面设置带有通光孔的金属镀膜的方式，使光窗缩小，减小光电二极管芯片的外露面积，可以显著改善串扰问题，提高光模块的灵敏度。附图说明为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例提供的第一种光电二极管芯片封装装置的示意图；图2为本技术实施例提供的第二种光电二极管芯片封装装置的示意图；图3为本技术实施例提供的第三种光电二极管芯片封装装置的示意图。图标：10-管帽；20-底座；30-光窗片；40-金属挡片。具体实施方式下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。实施例一：图1是根据本技术实施例提供的第一种光电二极管芯片封装装置的示意图。如图1所示，该装置包括：管帽10，底座20和光窗片30，管帽10倒扣在底座20上面，管帽10内部设置有待封装光电二极管芯片(Photo-Diode，简称PD)；管帽10顶部设置有光窗孔，光窗片30设置于管帽10的光窗孔位置，光窗片30上设置有金属镀膜，金属镀膜中间位置有通光孔，其中，通光孔的直径为0.5mm～1mm。本技术实施例提供了一种光电二极管芯片封装装置，通过在光窗表面设置带有通光孔的金属镀膜的方式，使光窗缩小，减小光电二极管芯片的外露面积，使得光电二极管芯片只能接收到通过光窗孔入射到光窗片上的光信号，这样可以显著改善串扰问题，提高光模块的灵敏度。可选地，本技术实施例中的光电二极管芯片封装装置的封装方式为TO封装。可选地，待封装光电二极管芯片为雪崩光电二极管芯片。在本技术实施例中，光窗片的材质为玻璃片。可选地，本技术实施例中，光窗片的镀膜方式为溅射镀膜的方式。实施例二：图2是根据本技术实施例提供的第二种光电二极管芯片封装装置的示意图。如图2所示，该装置包括：管帽10，底座20，光窗片30和金属挡片40，管帽10倒扣在底座20上面，管帽10内部设置有待封装光电二极管芯片；管帽10顶部设置有光窗孔，光窗片30设置于管帽10的光窗孔位置，金属挡片40设覆盖在光窗片30上方，金属挡片40中间位置设有通光孔，通光孔的直径为0.5mm～1mm。本技术实施例提供了一种光电二极管芯片封装装置，通过在光窗表面覆盖一个带有通光孔的金属挡片的方式，使光窗缩小，减小光电二极管芯片的外露面积，使得光电二极管芯片只能接收到通过光窗孔入射到光窗片上的光信号，这样可以显著改善串扰问题，提高光模块的灵敏度。可选地，本技术实施例中的光电二极管芯片封装装置的封装方式为TO封装。可选地，待封装光电二极管芯片为雪崩光电二极管芯片。在本技术实施例中，光窗片的材质为玻璃片。实施例三：图3是根据本技术实施例提供的第三种光电二极管芯片封装装置的示意图。如图3所示，该装置包括：管帽10，底座20和光窗片30，管帽10倒扣在底座20上面，管帽10内部设置有待封装光电二极管芯片；管帽10顶部设置有光窗孔，光窗片30设置于管帽10的光窗孔位置，光窗孔的直径为0.5mm～1mm。本技术实施例提供了一种光电二极管芯片封装装置，通过将管帽顶部的光窗孔缩小到1mm以内的方式，减小光电二极管芯片的外露面积，使得光电二极管芯片只能接收到通过光窗孔入射到光窗片上的光信号，这样可以显著改善串扰问题，提高光模块的灵敏度。可选地，光电二极管芯片封装装置的封装方式为TO封装。最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种光电二极管芯片封装装置，其特征在于，包括：管帽，底座和光窗片，所述管帽倒扣在所述底座上面，所述管帽内部设置有待封装光电二极管芯片；所述管帽顶部设置有光窗孔，所述光窗片设置于所述管帽的光窗孔位置，所述光窗片上设置有金属镀膜，所述金属镀膜中间位置有通光孔，所述通光孔的直径为0.5mm～1mm。/n
【技术特征摘要】
1.一种光电二极管芯片封装装置，其特征在于，包括：管帽，底座和光窗片，所述管帽倒扣在所述底座上面，所述管帽内部设置有待封装光电二极管芯片；所述管帽顶部设置有光窗孔，所述光窗片设置于所述管帽的光窗孔位置，所述光窗片上设置有金属镀膜，所述金属镀膜中间位置有通光孔，所述通光孔的直径为0.5mm～1mm。
2.根据权利要求1所述的光电二极管芯片封装装置，其特征在于，所述光电二极管芯片封装装置的封装方式为TO封装。
3.根据权利要求1所述的光电二极管芯片封装装置，其特征在于，所述待封装光电二极管芯片为雪崩光电二极管芯片。
4.根据权利要求1所述的光电二极管芯片封装装置，其特征在于，所述光窗片的材质为玻璃片。
5.一种光电二极管芯片封装装置，其特征在于，包括：管帽，底座，光窗片和金属挡片，所述管帽倒扣在所述底座上面，所述管帽内部设置有待封装光电二极管芯片；所述管帽顶部设置有光窗孔，所述光窗片设置于所述管...
【专利技术属性】
技术研发人员：张继立，唐松，李明洋，陈旭，
申请(专利权)人：成都优博创通信技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川;51
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