一种光电器件晶圆级封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种光电器件晶圆级封装结构，属于集成电路封装领域。所述光电器件晶圆级封装结构包括玻璃盖板，所述玻璃盖板上制作有围堰，所述围堰通过粘结胶与芯片晶圆正面的功能层键合；所述芯片晶圆背面的硅基开有凹槽，所述凹槽中制作有铜柱并通过第二塑封料塑封，所述第二塑封料表面依次形成有n层再布线、阻焊层和凸点。通过第一次塑封完成围堰制作，通过第二次塑封完成功能层与硅基背面的互连，并增加了硅基背面的再布线面积。整个封装体除了玻璃盖板一面，其他五面都被塑封料包裹，解决了光电器件由于漏光导致的成像“鬼影”问题；该封装方法及结构简单、成本低、良率高，适合大规模量产。

A wafer level packaging structure for optoelectronic devices

【技术实现步骤摘要】
一种光电器件晶圆级封装结构
本技术涉及集成电路封装
，特别涉及一种光电器件晶圆级封装结构。
技术介绍
近几年，随着手机摄像头三摄、四摄，甚至是五摄的出现与发展，对于光电器件尤其是影像传感器的封装需求越来越大。目前，如何降低摄像头模组的封装成本成为各大设计、封装和终端公司关注的重点。在众多封装方案中，CSP封装成本最低。但是CSP封装也存在TSV和围堰制作难度大、成本高以及晶圆级封装产品“鬼影”等问题。另外，随着晶圆制造向着更小的工艺节点发展，光电器件传感器芯片的I/O数量越来越多，如何增加再布线面积和再布线互连密度也成为CSP封装亟需解决的问题。申请号为201310667563.1和201910605108.6的专利分别介绍制作围堰和解决成像鬼影问题的方案，但是其封装方案相对复杂。申请号为201610528310.X的专利介绍了一种光电器件封装TSV的制作方法，虽然可以增加硅基背面再布线面积，但是该方案需要激光烧蚀等工艺打孔，所得TSV孔形貌难以控制，提高了后续再布线难度。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，包括：/n玻璃盖板（101），所述玻璃盖板（101）上制作有围堰（104），所述围堰（104）通过粘结胶（107）与芯片晶圆（105）正面的功能层（106）键合；/n所述芯片晶圆（105）背面的硅基开有凹槽（109），所述凹槽（109）中制作有铜柱（110）并通过第二塑封料（111）塑封，所述第二塑封料（111）表面依次形成有n层再布线（112）、阻焊层（113）和凸点（114）。/n

【技术特征摘要】
1.一种光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，包括：
玻璃盖板（101），所述玻璃盖板（101）上制作有围堰（104），所述围堰（104）通过粘结胶（107）与芯片晶圆（105）正面的功能层（106）键合；
所述芯片晶圆（105）背面的硅基开有凹槽（109），所述凹槽（109）中制作有铜柱（110）并通过第二塑封料（111）塑封，所述第二塑封料（111）表面依次形成有n层再布线（112）、阻焊层（113）和凸点（114）。


2.如权利要求1所述的光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，通过如下方法在所述玻璃盖板（101）上制作围堰（104）：
提供玻璃盖板（101），在其表面制作掩模图案（102）；
用第一塑封料（103）塑封掩模图案（102），并研磨至目标厚度；
去掉掩模图案（102）形成围堰（104）。


3.如权利要求2所述的光电器件晶圆级封装结构，其特征在于，所述掩模图案（102）的厚度大于所述围堰（104），所述掩模图案（...

【专利技术属性】
技术研发人员：王成迁，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：新型
国别省市：江苏;32