基于梁檐尺寸调整声学谐振器性能的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；底电极，设置在基底上方；顶电极；和压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，其中：声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；顶电极一侧的边缘形成檐结构，檐结构沿谐振器的厚度方向的投影落入声学镜的区域内；顶电极的连接部分处设置有梁结构，梁结构包括第一和第二梁部，第一梁部在谐振器的厚度方向的投影落入声学镜的区域内，第一梁部形成的空隙具有第一梁隙宽度，第二梁部在谐振器的厚度方向的投影处于声学镜的区域之外且与底电极重叠，第二梁部具有第二梁隙宽度；且谐振器的有效机电耦合系数与参照谐振器的有效机电耦合系数95％‑102％的范围内。

【技术实现步骤摘要】
基于梁檐尺寸调整声学谐振器性能的装置和方法
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器，一种具有该谐振器的滤波器，一种体声波谐振器性能特别是有效机电耦合系数的控制方法，以及一种具有该滤波器或谐振器的电子设备。
技术介绍
体声波滤波器具有低插入损耗、高矩形系数、高功率容量等优点，因此，被广泛应用在当代无线通讯系统中，是决定射频信号进出通讯系统质量的重要元器件。而滤波器的好坏与谐振器的各项性能指标息息相关。体声波谐振器一般具有两个谐振频率，定义阻抗最小的频率点为串联谐振频率fs，相应阻抗为串联阻抗Rs，定义阻抗最大的频率点为并联谐振频率fp，相应阻抗为并联阻抗Rp，定义有效机电耦合系数近似为来衡量谐振器中压电转换效率。通常，谐振器的串联谐振频率决定了滤波器的中心频率，而谐振器的有效机电耦合系数决定了滤波器的带宽以及滚降特性，谐振器的串联阻抗和并联阻抗决定了通带插入损耗及回波损耗。一般而言，谐振器的Rp越高，Rs越低，相应滤波器的通带插入损耗越好。对于特定滤波器设计，通常希望能够提高谐振器的Rp，同时保证谐振器的有效机电耦合系本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底；/n声学镜；/n底电极，设置在基底上方；/n顶电极；和/n压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，/n其中：/n所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；/n所述顶电极的连接部分处设置有梁结构，所述梁结构包括第一梁部，所述第一梁部在谐振器的厚度方向的投影落入所述声学镜的区域内，第一梁部形成的空隙具有梁隙高度和第一梁隙宽度。/n

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极；和
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，
其中：
所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；
所述顶电极的连接部分处设置有梁结构，所述梁结构包括第一梁部，所述第一梁部在谐振器的厚度方向的投影落入所述声学镜的区域内，第一梁部形成的空隙具有梁隙高度和第一梁隙宽度。


2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述第一梁隙宽度在0.75um到3.5um之间。


3.根据权利要求2所述的谐振器，其中：
所述第一梁隙宽度为0.75um到2um。


4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述第一梁隙宽度约为1um或2um。


5.根据权利要求2-4中任一项所述的谐振器，其中：
所述梁隙高度在100A-4000A范围内。


6.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述梁结构还包括第二梁部，所述第二梁部在谐振器的厚度方向的投影处于声学镜的区域之外且与所述底电极重叠，所述第二梁部具有所述梁隙高度和第二梁隙宽度。


7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述第二梁隙宽度在2um-8um范围内。


8.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，还包括：
在所述顶电极一侧的边缘形成的檐结构，所述檐结构沿谐振器的厚度方向的投影落入所述声学镜的区域内，所述檐结构形成的空隙具有檐隙高度和檐隙宽度。


9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述檐隙宽度在0.5um-7um范围内。


10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：
所述檐隙高度在100A-4000A范围内。


11.根据权利要求8-10中任一项所述的谐振器，其中：
所述檐隙宽度不同于所述梁结构的第一梁隙宽度。


12.根据权利要求8-11中任一项所述的谐振器，其中：
所述谐振器的有效机电耦合系数在参照谐振器的有效机电耦合系数的95％-102％的范围内。


13.根据权利要求12所述的谐振器，其中：
所述谐振器的有效机...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨清瑞，庞慰，张孟伦，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12