【技术实现步骤摘要】
控制电路与体声波滤波器的集成方法和集成结构
本专利技术涉及声波滤波器
，特别涉及一种控制电路与体声波(BAW)滤波器的集成方法和集成结构。
技术介绍
BAW滤波器是一种基于体声波理论、利用声学谐振实现电学滤波的器件，通过电极间的压电层(AlN、ZnO等)在垂直方向上的谐振进行滤波。空腔型BAW滤波器是目前应用最成功的BAW滤波器，其主体结构为上电极、压电层和下电极组成的三明治结构，上电极和下电极的两侧均设有空腔，当声波信号行进到上电极的顶端和下电极的底端时，由于声阻抗的巨大差异，造成声波的全反射。这种BAW滤波器的声泄露小，可实现器件的高Q值。进行封装时，一般将单个的BAW滤波器封装为分立器件，再集成于印刷电路板(PCB)上。出于使用需求，往往需要在一个PCB板上集成多个BAW。这种单独封装再进行系统集成的方式带来SIP接线复杂、插入损耗大等问题，且需要引入分立的开关、选择、控制器件对BAW滤波器进行控制，提高了工艺复杂度和制造成本。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种控制电路与体声波...
【技术保护点】
1.一种控制电路与体声波(BAW)滤波器的集成方法，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底形成有控制电路；/n在所述基底上形成第一空腔；/n提供BAW谐振结构，所述BAW谐振结构的表面设有输入电极、输出电极，所述BAW谐振结构包括第二空腔；/n将所述BAW谐振结构的所述表面朝向所述基底，使所述BAW谐振结构键合于所述基底且封闭所述第一空腔；/n将所述控制电路与所述输入电极、输出电极电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种控制电路与体声波(BAW)滤波器的集成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底形成有控制电路；
在所述基底上形成第一空腔；
提供BAW谐振结构，所述BAW谐振结构的表面设有输入电极、输出电极，所述BAW谐振结构包括第二空腔；
将所述BAW谐振结构的所述表面朝向所述基底，使所述BAW谐振结构键合于所述基底且封闭所述第一空腔；
将所述控制电路与所述输入电极、输出电极电连接。
2.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，所述基底包括衬底及形成在所述衬底上的第一介质层；
所述在所述基底上形成第一空腔包括：
在所述第一介质层内形成所述第一空腔。
3.根据权利要求2所述的集成方法，其特征在于，所述衬底包括SOI衬底、硅衬底、锗衬底、锗化硅衬底、砷化镓衬底之一。
4.根据权利要求2所述的集成方法，其特征在于，所述控制电路包括器件结构及与所述器件结构电连接的第一互连结构层，所述第一互连结构层位于所述第一介质层，与所述输入电极、输出电极电连接。
5.根据权利要求4所述的集成方法，其特征在于，所述器件结构包括MOS器件。
6.根据权利要求4所述的集成方法，其特征在于，所述将所述控制电路与所述输入电极、输出电极电连接包括：
在键合所述BAW谐振结构之后，将所述第一互连结构层与所述输入电极、输出电极电连接；或者
在键合所述BAW谐振结构之前，在所述第一互连结构层上形成第一重布线层及第一焊垫；
在键合所述BAW谐振结构后，将所述第一焊垫与所述输入电极、所述输出电极电连接，以使所述输入电极、输出电极通过所述第一焊垫、所述第一重布线层与所述控制电路电连接。
7.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，将所述BAW谐振结构的所述表面朝向所述基底，使所述BAW谐振结构键合于所述基底且封闭所述第一空腔的步骤包括：
在所述基底的表面、所述第一空腔的外周形成粘合结构；
通过所述粘合结构将所述BAW谐振结构粘结于所述基底。
8.根据权利要求7所述的集成方法，其特征在于，所述粘合结构包括干膜。
9.根据权利要求8所述的集成方法，其特征在于，通过曝光显影在所述干膜中形成所述第一空腔。
10.根据权利要求7所述的集成方法，其特征在于，通过丝网印刷图案化的粘结层形成所述粘合结构。
11.根据权利要求1所述的集成方法，其特征在于，还包括：在所述基底的背面形成第二重布线层，与所述输入电极、输出电极、控制电路电连接。
12.根据权利要求11所述的集成方法，其特征在于，所述第二重布线层包括I/O焊垫。
13.根据权利要求1所述的集成方...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦晓珊，
申请(专利权)人：中芯集成电路宁波有限公司上海分公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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