【技术实现步骤摘要】
顶电极连接部设有延伸结构的谐振器、滤波器和电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器，一种具有该谐振器的滤波器，以及一种具有该滤波器或谐振器的电子设备。
技术介绍
由于体声波谐振器具有高工作频率、高品质因数、小体积、低成本的优点，相应的体声波滤波器具有低插入损耗、高矩形系数、高功率容量等优点。因此，这类小型化、高性能的体声波滤波器被广泛应用在无线通讯系统的射频前端中，是射频信号进出通讯系统的重要门户。体声波谐振器一般分为两种类型，分别是薄膜体声波谐振器和固态装配性谐振器。这两种结构具有相同的谐振层结构，而具有不同的声学反射结构。其中，谐振层结构是由上下两个金属电极夹着一层压电材料层组成，是决定谐振器谐振特性的关键结构。理想情况下，谐振层工作在沿厚度方向扩张的主振动模式，但由于体声波谐振器存在横向边界，因此，会在谐振器内产生横向传播的寄生模式，称为兰姆波。这种横向模式的声波会在谐振器两侧泄露进基底中，在谐振器的电学性能上表现为并联阻抗(Rp)或并联谐振频率的品质因数(Qp)减小。为克服...
【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底；/n声学镜；/n底电极，设置在基底上方；/n顶电极；和/n压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，/n其中：/n所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；/n所述谐振器在顶电极的电极连接部的位置设置有延伸结构，所述延伸结构包括在沿谐振器的厚度方向的投影上处于所述有效区域的边缘与所述底电极的边缘之间的主延伸部。/n
【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
底电极，设置在基底上方；
顶电极；和
压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，
其中：
所述声学镜、底电极、压电层和顶电极在谐振器厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域；
所述谐振器在顶电极的电极连接部的位置设置有延伸结构，所述延伸结构包括在沿谐振器的厚度方向的投影上处于所述有效区域的边缘与所述底电极的边缘之间的主延伸部。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述主延伸部自所述有效区域边缘延伸。
3.根据权利要求1或2所述的谐振器，其中：
所述主延伸部远离所述有效区域的一端在谐振器的厚度方向上与所述底电极的端部平齐。
4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述主延伸部的延伸距离不小于1微米。
5.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述延伸结构还包括与主延伸部同层布置的辅助延伸部，所述辅助延伸部与主延伸部的另一端连接且在谐振器的厚度方向的投影上延伸到底电极之外。
6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：
所述辅助延伸部的延伸长度不小于2微米。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括设置于顶电极上方的钝化层；
所述延伸结构设置于钝化层之上。
8.根据权利要求1-6中任一项所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括设置于顶电极上方的钝化层；
所述延伸结构设置于...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨清瑞，庞慰，张孟伦，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12
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