电极厚度不对称的体声波谐振器、滤波器和电子设备制造技术

本发明专利技术涉及一种体声波谐振器，包括：基底；声学镜；由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构，顶电极、压电层、底电极与声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠部分形成有效区域；以及三明治结构的一侧的增强结构，所述增强结构用于反射声波提高Q值，其中：位于所述三明治结构的所述一侧的电极的厚度小于位于所述三明治结构的另一侧的电极的厚度。本发明专利技术也涉及一种滤波器以及具有该滤波器的电子设备。

【技术实现步骤摘要】
电极厚度不对称的体声波谐振器、滤波器和电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器，具有该谐振器的滤波器以及一种具有该谐振器或者滤波器的电子设备。
技术介绍
利用压电薄膜在厚度方向的纵向谐振所制成的薄膜体波谐振器，在手机通讯和高速串行数据应用等方面已经成为声表面波器件和石英晶体谐振器的一个可行的替代。射频前端体波滤波器/双工器提供优越的滤波特性，例如低插入损耗、陡峭的过渡带、较大的功率容量、较强的抗静电放电(ESD)能力。具有超低频率温度漂移的高频薄膜体波谐振器，其相位噪声低、功耗低且带宽调制范围大。除此之外，这些微型薄膜谐振器在硅衬底上使用CMOS兼容的加工工艺，这样可以降低单位成本，并有利于最终与CMOS电路集成。图1a和图1b所示的体声波谐振器结构具体为：具有基底P100；声学镜P200嵌入基底或位于基底表面，声学镜P200的具体形式可包含空腔或布拉格反射层或其他可反射声波的等效构造；底电极P300覆盖声学镜结构和部分基底；压电薄膜层P400覆盖底电极和部分基底；顶电极P500位于压电层之上，并覆盖部分压电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种体声波谐振器，包括：/n基底；/n声学镜；/n由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构，顶电极、压电层、底电极与声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠部分形成有效区域；/n设置在三明治结构的一侧的增强结构，/n其中：/n位于所述三明治结构的所述一侧的电极的厚度小于位于所述三明治结构的另一侧的电极的厚度。/n

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
声学镜；
由顶电极、压电层和底电极构成的三明治结构，顶电极、压电层、底电极与声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠部分形成有效区域；
设置在三明治结构的一侧的增强结构，
其中：
位于所述三明治结构的所述一侧的电极的厚度小于位于所述三明治结构的另一侧的电极的厚度。


2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述顶电极包括金属层以及设置于金属层上的工艺层，金属层与工艺层的厚度之和为所述顶电极的厚度。


3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述顶电极的厚度大于所述底电极的厚度。


4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述顶电极的厚度小于所述底电极的厚度。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的谐振器，其中：
位于所述三明治结构的另一侧的电极厚度与位于所述三明治结构的一侧的电极厚度之比的比值在1.1-2.5的范围内。


6.根据权利要求5所述的谐振器，其中：
位于所述三明治结构的另一侧的电极厚度与位于所述三明治结构的一侧的电极厚度之比的比值在1.5-2.25的范围内。


7.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述增强结构包括凸起型增强结构。


8.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
所述凸起型增强结构的宽度在0.5微米-7微米的范围内。


9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述凸起型增强结构的宽度在0.5微米-2微米的范围内。


10.根据权利要求7所述的谐振器，其中：
所述凸起型增强结构的宽度为S1模式横向兰姆波波长的1/4，或者所述兰姆波波长的1/4的奇数倍。


11.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张孟伦，庞慰，杨清瑞，
申请(专利权)人：天津大学，诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12