沉积掩模和制造该沉积掩模的方法技术

提供了一种沉积掩模和制造该沉积掩模的方法。所述制造沉积掩模的方法包括：制备掩模目标基底，所述掩模目标基底具有其上形成有牺牲层图案的一个表面，并且包括被牺牲层图案覆盖的覆盖区域和被牺牲层图案暴露的多个暴露区域；通过朝向掩模目标基底发射激光在掩模目标基底的暴露区域中形成孔；以及去除牺牲层图案，其中，牺牲层图案具有针对激光的比掩模目标基底的反射率高的反射率。

【技术实现步骤摘要】
沉积掩模和制造该沉积掩模的方法本申请要求于2018年12月27日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0170875号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
公开涉及一种沉积掩模和制造该沉积掩模的方法。
技术介绍
作为下一代显示装置且作为具有诸如宽视角、高对比度和快响应速度的期望特性的自发光显示装置，有机发光显示(“OLED”)装置备受关注。这样的OLED装置通常包括至少包含在对电极之间的发光层的中间层。电极和中间层可以使用各种方法(例如，沉积方法)形成。
技术实现思路
公开的实施例提供了一种具有改善的制造工艺效率的制造沉积掩模的方法。公开的实施例还提供了一种使用具有改善的制造工艺效率的制造沉积掩模的方法制造的沉积掩模。根据公开的实施例，一种制造沉积掩模的方法包括：制备掩模目标基底，所述掩模目标基底具有其上设置有牺牲层图案的表面，并且包括被牺牲层图案覆盖的覆盖区域和被牺牲层图案暴露的多个暴露区域；通过朝向掩模目标基底发射激光而在掩模目标基底的暴露区域中形成孔；以及将牺牲层图案去除，其中，牺牲层图案的针对激光的反射率比掩模目标基底的针对激光的反射率高。在实施例中，制备掩模目标基底的步骤可以包括以掩模目标基底的覆盖区域完全围绕掩模目标基底的暴露区域中的每个的方式设置牺牲层图案。在实施例中，通过朝向掩模目标基底发射激光而在掩模目标基底的暴露区域中形成孔的步骤可以包括朝向掩模目标基底的覆盖区域部分地发射激光。在实施例中，牺牲层图案的针对激光的反射率可以是大约70％或更大。在实施例中，激光可以具有从大约400纳米(nm)至大约600nm的波长范围内的单波长。在实施例中，掩模目标基底可以包括包含镍和铁的因瓦合金。在实施例中，牺牲层图案可以包括铝、银和铜中的至少一种。在实施例中，可以使用第一蚀刻剂来执行将牺牲层图案去除的步骤。在实施例中，第一蚀刻剂的针对牺牲层图案的蚀刻速率可以比第一蚀刻剂的针对掩模目标基底的蚀刻速率高。在实施例中，在朝向掩模目标基底发射激光之后，会在覆盖区域的面向暴露区域的内表面和牺牲层图案的上表面和侧表面上形成粉尘氧化膜。在实施例中，去除牺牲层图案的步骤可以包括去除形成在牺牲层图案的侧表面和上表面上的粉尘氧化膜。在实施例中，可以在30分钟内执行将牺牲层图案去除的步骤，将牺牲层图案去除的步骤包括去除形成在牺牲层图案的侧表面和上表面上的粉尘氧化膜。在实施例中，所述方法还可以包括在去除牺牲层图案之后，去除形成在覆盖区域的面向暴露区域的内表面上的粉尘氧化膜。在实施例中，使用第二蚀刻剂来执行去除形成在覆盖区域的面向暴露区域的内表面上的粉尘氧化膜，第二蚀刻剂与用于去除牺牲层图案的第一蚀刻剂不同。在实施例中，可以使用光刻工艺、电镀工艺和溅射工艺中的至少一种来执行在掩模目标基底的表面上设置牺牲层图案的步骤。根据公开的另一实施例，一种沉积掩模包括：掩模主体，掩模主体包括彼此分隔开而设置的多个孔区域和围绕孔区域中的每个的唇区域；以及粉尘氧化膜，设置在唇区域的面向掩模主体的孔区域的内表面上。在实施例中，粉尘氧化膜可以不设置在掩模主体的唇区域的上表面上。在实施例中，掩模主体可以包括包含镍和铁的因瓦合金，并且粉尘氧化膜可以包括氧化镍和氧化铁。在实施例中，沉积掩模还可以包括残留膜，所述残留膜设置在掩模主体的唇区域的上表面上并且包括与粉尘氧化膜的材料不同的材料。在实施例中，残留膜可以包括铝、银和铜中的至少一种。附图说明通过参照附图详细描述专利技术的示例性实施例，专利技术的以上和其他特征将变得更明显，在附图中：图1是根据公开的示例性实施例的沉积掩模组件的透视图；图2是示出图1中区域A的放大平面图；图3是沿图2中的线III-III′截取的剖视图；图4是根据可选示例性实施例的沉积掩模的透视图；图5是根据另一可选示例性实施例的沉积掩模的剖视图；图6是根据又一可选示例性实施例的沉积掩模的剖视图；图7是根据再一可选示例性实施例的沉积掩模的剖视图；图8是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的流程图；图9是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的平面图；图10是沿着图9中的线X-X′截取的剖视图；图11是示出金属的根据光的波长的反射率的曲线图；图12是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的剖视图；图13A是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的剖视图；图13B是图13A的画圈部分的放大图；图14是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作中的粉尘氧化膜的照片；图15A至图16B是示出制造根据示例性实施例的沉积掩模的方法的操作的剖视图；图17是示出激光的强度与未处理的孔的数量之间的相关性的曲线图；图18是示出激光的强度与蚀刻效率之间的相关性的曲线图；图19是示出根据示例性实施例的形成牺牲层的操作的流程图；图20是示出图19中所示的操作的剖视图；图21是示出根据示例性实施例的牺牲层的剖视图；图22是示出根据可选示例性实施例的牺牲层的剖视图；图23是示出根据可选示例性实施例的形成牺牲层的操作的流程图；图24是示出图23中所示的操作的剖视图；图25是示出根据另一可选示例性实施例的形成牺牲层的操作的流程图；以及图26是示出图25中所示的操作的剖视图。具体实施方式现在将在下文中参照其中示出了各种实施例的附图更充分地描述专利技术。然而，可以以许多不同的形式来实施本专利技术，并且本专利技术不应该被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得该公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达专利技术的范围。同样的附图标记始终表示同样的元件。将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者在该元件与所述另一元件之间可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件“上”时，不存在中间元件。将理解的是，虽然术语“第一”、“第二”、“第三”等在这里可用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离这里的教导的情况下，以下讨论的第一“元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可以称为第二元件、组件、区域、层或部分。这里使用的术语仅为了描述具体实施例的目的，并且不意图成为限制。如这里使用的，除非上下文另外清楚地表示，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括包含“至少一个”的复数形式。“或”表示“和/或”。“A和B中的至少一个”表示“A和/或B”。如这里所使用的，术语“本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：/n制备掩模目标基底，所述掩模目标基底具有其上设置有牺牲层图案的表面，并且包括被所述牺牲层图案覆盖的覆盖区域和被所述牺牲层图案暴露的多个暴露区域；/n通过朝向所述掩模目标基底发射激光在所述掩模目标基底的所述多个暴露区域中形成孔；以及/n将所述牺牲层图案去除，/n其中，所述牺牲层图案的针对所述激光的反射率比所述掩模目标基底的针对所述激光的反射率高。/n

【技术特征摘要】
20181227 KR 10-2018-01708751.一种制造沉积掩模的方法，所述方法包括：
制备掩模目标基底，所述掩模目标基底具有其上设置有牺牲层图案的表面，并且包括被所述牺牲层图案覆盖的覆盖区域和被所述牺牲层图案暴露的多个暴露区域；
通过朝向所述掩模目标基底发射激光在所述掩模目标基底的所述多个暴露区域中形成孔；以及
将所述牺牲层图案去除，
其中，所述牺牲层图案的针对所述激光的反射率比所述掩模目标基底的针对所述激光的反射率高。


2.如权利要求1所述的方法，其中，制备所述掩模目标基底的步骤包括设置所述牺牲层图案，使得所述掩模目标基底的所述覆盖区域完全围绕所述掩模目标基底的所述多个暴露区域中的每个。


3.如权利要求2所述的方法，其中，通过朝向所述掩模目标基底发射所述激光在所述掩模目标基底的所述多个暴露区域中形成所述孔的所述步骤包括朝向所述掩模目标基底的所述覆盖区域部分地发射所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金辉，金仁培，任星淳，黄圭焕，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR