量子点发光二极管的后处理方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点发光二极管的后处理方法，包括以下步骤：提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括相对设置的阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层；将所述量子点发光二极管置于磁场强度和磁场方向连续变化的磁场环境中，所述磁场强度H的绝对值在0A/m≤H≤5000A/m的范围内连续变化，所述磁场环境提供的磁场方向与所述阴极所在平面之间的夹角或所述磁场环境提供的磁场方向与所述阳极所在平面之间的夹角为α，其中，0°＜α＜180°，对所述量子点发光二极管进行处理。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管的后处理方法
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管的后处理方法。
技术介绍
量子点(quantumdots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodesQLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。在制备QLED器件的过程中，由于各功能层之间的材料差异，不可避免地会导致相邻层之间存在一定的兼容性问题。为了更好地提高QLED器件的稳定性和器件效率，通常需要在QLED器件各功能层制备完成后，对QLED器件进行长时间的通电处理，以达到器件效率的目的。然而，这种熟化过程所需时间太长，严重影响QLED器件的制作周期；同时对提高器件效率的作用也不明显。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管的后处理方法，旨在解决现有的量子点发光二极管后处理方法时间过长，且对提高量子点发光二极管器件效率作用不明显的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：本专利技术一方面提供一种量子点发光二极管的后处理方法，包括以下步骤：提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括相对设置的阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层；将所述量子点发光二极管置于磁场强度和磁场方向连续变化的磁场环境中对所述量子点发光二极管进行处理，所述磁场强度H的绝对值在|H|≤5000A/m的范围内连续变化，所述磁场环境提供的磁场方向与所述阴极所在平面之间的夹角或所述磁场环境提供的磁场方向与所述阳极所在平面之间的夹角为α，其中，0°＜α＜180°。本专利技术另一方面提供一种量子点发光二极管的后处理方法，包括以下步骤：提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括相对设置的阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层；将所述量子点发光二极管置于磁场强度与磁场方向不变的磁场环境中，对所述量子点发光二极管进行处理；所述磁场环境提供的磁场方向与所述阴极所在平面之间的夹角或所述磁场环境提供的磁场方向与所述阳极所在平面之间的夹角为α，处理过程中，所述α在0°≤α≤360°的范围内连续变化。本专利技术提供的量子点发光二极管的后处理方法，采用磁场对量子点发光二极管进行处理，通过调整磁场强度和磁场作用，可以有效提高熟化效率，缩短量子点发光二极管的制作周期，且得到的量子点发光二极管具有较好的器件发光效率。具体，采用磁场对量子点发光二极管进行处理，得到的量子点发光二极管的外量子效率得到提高，可以达到6.7％，进而可以有效提高所述量子点发光二极管的器件发光效率。更重要的是，相比在非磁场环境下的处理，本专利技术所述量子点发光二极管在外量子效率达到同样的外量子效率(EQE)所用的时间至少可以缩短90％，甚至可以缩短95％以上。此外，相比在非磁场环境下的处理，本专利技术提供的后处理方法在磁场环境中即可进行，不需要另行通电处理(磁场作用下可形成电流回路)，因此，不局限于特定的外接电源熟化工艺和处理空间，可实现大规模应用。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管的后处理方法的流程示意图；图2是本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管的后处理方法的流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。如附图1所示，本专利技术的一些实施方式提供一种量子点发光二极管的后处理方法，包括以下步骤：S10.提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括相对设置的阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层；S20.将所述量子点发光二极管置于磁场强度和磁场方向连续变化的磁场环境中对所述量子点发光二极管进行处理，所述磁场强度H的绝对值在|H|≤5000A/m的范围内连续变化，所述磁场环境提供的磁场方向与所述阴极所在平面之间的夹角或所述磁场环境提供的磁场方向与所述阳极所在平面之间的夹角为α，其中，0°＜α＜180°。本专利技术提供的量子点发光二极管的后处理方法，采用磁场对量子点发光二极管进行处理，通过调整磁场强度和磁场作用，可以有效提高熟化效率，缩短量子点发光二极管的制作周期，且得到的量子点发光二极管具有较好的器件发光效率。具体，采用磁场对量子点发光二极管进行处理，得到的量子点发光二极管的外量子效率得到提高，可以达到6.7％，进而可以有效提高所述量子点发光二极管的器件发光效率。更重要的是，相比在非磁场环境下的处理，本专利技术所述量子点发光二极管在外量子效率达到同样的外量子效率(EQE)所用的时间至少可以缩短90％，甚至可以缩短95％以上。此外，相比在非磁场环境下的处理，本专利技术提供的后处理方法在磁场环境中即可进行，不需要另行通电处理(磁场作用下可形成电流回路)，因此，不局限于特定的外接电源熟化工艺和处理空间，可实现大规模应用。具体的，上述步骤S10中，所述量子点发光二极管的基础结构至少包括相对设置的阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层。所述阴极和所述阳极中，至少有一个电极为透明电极，以使得量子点发光二极管得以出光。所述阴极可以选用常规的发光二极管用阴极材料，所述阳极可以选用常规的发光二极管用阳极材料。在一些实施例中，所述阳极可以选用ITO，但不限于此。在一些实施例中，所述阴极可以选用金属电极，包括但不限于银电极、铝电极。所述阴极的厚度为60-120nm，具体优选为100nm。在一些实施例中，所述量子点发光层可以采用常规的量子点发光材料制成，所述量子点发光层的厚度为30-50nm。在一些实施例中，所述量子点发光二极管包括基板，所述阴极或所述阳极设置在所述基板上。当所述阳极设置在所述基板上时，所述量子点发光二极管形成正置发光二极管；当所述阴极设置在所述基板上时，所述量子点发光二极管形成倒置发光二极管。作为一个具体实施例，所述量子点发光二极管包括基板，设置在基板上的阳极，设置在所述阳极背离所述基板一侧的量子点发光层，设置在所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的后处理方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括相对设置的阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层；/n将所述量子点发光二极管置于磁场强度和磁场方向连续变化的磁场环境中，对所述量子点发光二极管进行处理，所述磁场强度H的绝对值在|H|≤5000A/m的范围内连续变化，所述磁场环境提供的磁场方向与所述阴极所在平面之间的夹角或所述磁场环境提供的磁场方向与所述阳极所在平面之间的夹角为α，其中，0°＜α＜180°。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的后处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括相对设置的阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层；
将所述量子点发光二极管置于磁场强度和磁场方向连续变化的磁场环境中，对所述量子点发光二极管进行处理，所述磁场强度H的绝对值在|H|≤5000A/m的范围内连续变化，所述磁场环境提供的磁场方向与所述阴极所在平面之间的夹角或所述磁场环境提供的磁场方向与所述阳极所在平面之间的夹角为α，其中，0°＜α＜180°。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的后处理方法，其特征在于，所述磁场环境为正弦磁场或余弦磁场。


3.如权利要求1所述的量子点发光二极管的后处理方法，其特征在于，所述磁场强度H的绝对值在|H|≤1000A/m的范围内连续变化。


4.如权利要求3所述的量子点发光二极管的后处理方法，其特征在于，所述磁场强度H的绝对值在|H|≤500A/m的范围内连续变化。


5.如权利要求1至4任一项所述的量子点发光二极管的后处理方法，其特征在于，对所述量子点发光二极管进行处理的时间为10分钟-80分钟。


6.如权利要求5所述的量子点发光二极管的后处理方法，对所述量子点发光二极管进行处理的时间为20分钟-40分钟。


7.如权利要求1至4任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张节，向超宇，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44