量子点发光二极管的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供设置有电子传输层的基板；在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料；在经所述混合溶剂处理后的电子传输层上制备其它膜层，制备量子点发光二极管，且使得所述量子点发光二极管至少包括以下结构：相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述量子点发光层与所述阴极之间的电子传输层。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管的制备方法
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管的制备方法。
技术介绍
量子点(quantumdots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodesQLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。QLED器件基础结构包括相对设置的阳极和阴极，以及设置在阳极和阴极之间的量子点发光层。为了平衡QLED器件的载流子传输性能，会在量子点发光层和电极之间引入空穴功能层。通常的，在量子点发光层和阴极之间，设置电子传输层。QLED器件制备过程中，电子传输层不可避免地会引入杂质，杂质的存在，影响量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管的制备方法，旨在解决量子点发光二极管中的电子传输层中含有杂质，影响量子点发光二极管的发光效率和使用寿命的的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：>一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阳极基板，设置在所述阳极基板上的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层背离所述阳极基板一侧的电子传输层；在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料；或，提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阴极基板，以及设置在所述阴极基板上的电子传输层；在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料。本专利技术提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述电子传输层表面沉积溶液，其中，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解述电子传输层中的电子传输材料。所述溶液在所述电子传输层表面浸润，溶质通过固液两相界面吸附在所述电子传输层的膜层表面，将残留在电子传输层中的杂质溶解，并通过后续加热处理去除，从而提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。附图说明图1是本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的制备方法流程图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。如图1所示，一种量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：S01.提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阳极基板，设置在所述阳极基板上的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层背离所述阳极基板一侧的电子传输层；或，提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阴极基板，以及设置在所述阴极基板上的电子传输层；S02.在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料；S03.在经所述混合溶剂处理后的电子传输层上制备其它膜层，制备量子点发光二极管，且使得所述量子点发光二极管至少包括以下结构：相对设置的阳极和阴极，设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，设置在所述量子点发光层与所述阴极之间的电子传输层。本专利技术实施例提供的量子点发光二极管的制备方法，在所述电子传输层表面沉积溶液，其中，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性小于等于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解述电子传输层中的电子传输材料。所述溶液在所述电子传输层表面浸润，溶质通过固液两相界面吸附在所述电子传输层的膜层表面，将残留在电子传输层中的杂质溶解，并通过后续加热处理去除，从而提高量子点发光二极管的发光效率和使用寿命。具体的，上述步骤S01中，提供设置有电子传输层的基板。所述电子传输层的基板包括两种情形。作为一种实施情形，所述设置有电子传输层的基板包括：阳极基板，设置在所述阳极基板上的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层背离所述阳极基板一侧的电子传输层。此时，所述设置有电子传输层的基板可以通过下述方法制备：提供设置有阳极的基板即阳极基板，在所述阳极表面制备量子点发光层，在所述量子点发光层表面制备电子传输层。其中，所述阳极基板包括衬底，以及设置在所述衬底上的阳极。所述衬底的选择没有严格限制，可以采用硬质衬底，如玻璃衬底；也可以采用柔性衬底，如聚酰亚胺衬底、聚降冰片烯衬底，但不限于此。在一些实施例中，所述阳极可以选用ITO，但不限于此。在一些实施例中，采用溶液加工法在所述阳极上沉积量子点溶液，制备量子点发光层。更优选的，采用喷墨打印方法在所述底电极上沉积量子点墨水，制备量子点发光层。本专利技术实施例中，所述量子点发光层中的量子点为本领域常规的量子点。在一些实施例中，所述量子点发光层的厚度为20-50nm。在一些实施例中，在所述量子点发光层表面制备电子传输层，优选采用溶液加工法实现。所述电子传输层的材料可以采用常规的电子传输材料，包括但不限于n型氧化锌，所述电子传输层的厚度为10-100nm。在上述实施例的基础上，为了获得更佳的器件性能，可以引入其他功能层。在一些实施例中，在所述阳极表面制备空穴功能层(所述空穴功能层设置在所述阳极与所述量子点发光层之间)的步骤。所述空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层。其中，所述空穴注入层、空穴传输层用于降低空穴注入难度，所述电子阻挡层用于阻挡过量的电子，使过量的电子不能到达阳极形成漏电流，从而提高量子点发光二极管的电流效率。作为一个具体优选实施例，当阳极设置所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阳极基板，设置在所述阳极基板上的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层背离所述阳极基板一侧的电子传输层；/n在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料；或，/n提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阴极基板，以及设置在所述阴极基板上的电子传输层；/n在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阳极基板，设置在所述阳极基板上的量子点发光层，以及设置在所述量子点发光层背离所述阳极基板一侧的电子传输层；
在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料；或，
提供设置有电子传输层的基板，所述设置有电子传输层的基板包括：阴极基板，以及设置在所述阴极基板上的电子传输层；
在所述电子传输层表面沉积溶液，静置至所述电子传输层被所述溶液浸润后进行干燥处理，所述溶液包括主体溶剂和溶于所述主体溶剂中的溶质，所述溶质的极性大于所述主体溶剂的极性，且所述溶液不溶解所述电子传输层中的电子传输材料。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述主体溶剂选自直链中碳原子数目小于20的烷烃及其衍生物、碳原子数目小于20的环烷烃及其衍生物、直链中的碳原子数目小于20的烯烃及其衍生物和直链中的碳原子数目小于20的酯类及其衍生物中的一种或两种以上的组合。


3.如权利要求2所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述主体溶剂选自直链碳原子数目小于20的烷烃及其衍生物选自正己烷、正庚烷、1-辛烷、3-甲基庚烷和1-氯己烷中的一种或多种；
所述碳原子数目小于20的环烷烃及其衍生物选自环己烷、2-甲基环己烷、环庚烷和环己基乙酸中的一种或多种；
所述直链中的碳原子数目小于20的酯类及其衍生物选自乙酸乙酯、丁酸乙酯和扁桃酸乙酯中的一种或多种；
所述直链中的碳原子数目小于20的烯烃及其衍生物选自3-己烯、4-辛烯、5-癸烯、5-甲基-5-癸烯和9-十八烯酸中的一种或多种。


4.如权利要求1所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述溶质选自直...

【专利技术属性】
技术研发人员：张节，向超宇，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44