量子点发光二极管的后处理方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点发光二极管的后处理方法，包括以下步骤：提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极的功能层，所述功能层至少包括量子点发光层；在所述量子点发光二极管中功能层的材料未完全固化之前，将所述量子点发光二极管浸入有机溶剂中进行超声处理，所述有机溶剂为不溶解量子点的有机溶剂。

【技术实现步骤摘要】
量子点发光二极管的后处理方法
本专利技术属于显示
，尤其涉及一种量子点发光二极管的后处理方法。
技术介绍
量子点(quantumdots)，又称半导体纳米晶，其三维尺寸均在纳米范围内(1-100nm)，是一种介于体相材料和分子间的纳米颗粒论。量子点具有量子产率高、摩尔消光系数大、光稳定性好、窄半峰宽、宽激发光谱和发射光谱可控等优异的光学性能，非常适合用作发光器件的发光材料。近年来，量子点荧光材料由于其光色纯度高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，广泛被看好用于平板显示领域，成为极具潜力的下一代显示和固态照明光源。量子点发光二极管(QuantumDotLightEmittingDiodesQLED)是基于量子点材料作为发光材料的发光器件，由于其具有波长可调、发射光谱窄、稳定性高、电致发光量子产率高等优点，成为下一代显示技术的有力竞争者。不管采用何种方法制备QLED器件，最终得到的QLED器件内部通常会有一些瑕疵，如气泡和材料团聚等，这些气泡或团聚材料会影响器件的外量子效率。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种量子点发光二极管的后处理方法，旨在解决制备完成后得到的量子点发光二极管内部存在气泡和材料团聚，影响子点发光二极管的发光效率的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种量子点发光二极管的后处理方法，包括以下步骤：提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极的功能层，所述功能层至少包括量子点发光层；在所述量子点发光二极管中的各功能层材料未完全固化之前，将所述量子点发光二极管浸入有机溶剂中进行超声处理，所述有机溶剂为不溶解量子点的有机溶剂。本专利技术提供的量子点发光二极管，在制备完的量子点发光二极管各功能层材料未完全固化之前，将所述量子点发光二极管浸入不溶解量子点的有机溶剂中进行超声处理。通过在有机溶剂中超声处理去除功能层中的气泡，并促进团聚材料的分散，可以减少量子点发光二极管的内部瑕疵，提高量子点发光二极管的器件效率。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种量子点发光二极管的后处理方法的流程示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。如附图1所示，本专利技术实施例提供了一种量子点发光二极管的后处理方法，包括以下步骤：S10.提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极的功能层，所述功能层至少包括量子点发光层；S20.在所述量子点发光二极管中的各功能层材料未完全固化之前，将所述量子点发光二极管浸入有机溶剂中进行超声处理，所述有机溶剂为不溶解量子点的有机溶剂。本专利技术实施例提供的量子点发光二极管，在一些实施方式中，为新制备的量子点，在制备完成后的量子点发光二极管中的各功能层中材料未完全固化之前，将所述量子点发光二极管浸入不溶解量子点的有机溶剂中进行超声处理。通过在有机溶剂中超声处理去除功能层中的气泡，并促进团聚材料的分散，从而可以减少量子点发光二极管的内部瑕疵，一定程度上提高量子点发光二极管的器件效率。量子点发光二极管包括阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的功能层，所述功能层至少包括量子点发光层，进一步的还可以包括电子功能层和空穴层。具体的，量子点发光二极管分正型结构和反型结构。在一些实施方式中，正型结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，正型结构的阳极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。在一些实施方式中，反型结构包括层叠设置的阳极、阴极和设置在阳极和阴极之间的量子点发光层，反型结构的阴极设置在衬底上，在阳极和量子点发光层之间还可以设置空穴传输层、空穴注入层和电子阻挡层等空穴功能层，在阴极和量子点发光层之间还可以设置电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层等电子功能层。具体的，上述步骤S10中，提供设置有底电极的基板，即在基板上设置底电极。所述基板的选择没有严格限制，可以采用硬质基板，如玻璃基板；也可以采用柔性基板，如聚酰亚胺基板、聚降冰片烯基板，但不限于此。所述底电极为与顶电极相对的电极，所述底电极为阴极或阳极；对应的，所述顶电极为阳极或阴极。具体的，当所述底电极为阳极时，所述顶电极为阴极；当所述底电极为阴极时，所述顶电极为阳极。当所述阳极设置在所述基板上时，所述量子点发光二极管形成正置发光二极管；当所述阴极设置在所述基板上时，所述量子点发光二极管形成倒置发光二极管。在一些实施例中，所述阳极可以选用ITO，但不限于此。在一些实施例中，所述阴极可以选用金属电极，包括但不限于银电极、铝电极。所述阴极的厚度为60-120nm，具体优选为100nm。在所述底电极上制备量子点发光层的方法没有严格限定，可以采用本领域常规的方法制备量子点发光层。在一些实施例中，采用溶液加工法在所述底电极上沉积量子点溶液，制备量子点发光层。通过溶液加工法制备的量子点发光层，经过下述步骤的超声处理，提高量子点发光二极管外量子效率的效果更明显。更优选的，采用喷墨打印方法在所述底电极上沉积量子点墨水，制备量子点发光层。本专利技术实施例中，所述量子点发光层中的量子点为本领域常规的量子点。在一些实施例中，所述量子点发光层的厚度为30-50nm。在量子点发光层背离所述底电极的表面制备顶电极，可以采用本领域常规方法制备获得。值得注意的是，本专利技术实施例所述顶电极为与顶电极相对的电极，具体可以为阳极，也可以为阴极。由此，本专利技术实施例制备得到具有基础结构的量子点发光二极管(包括相对设置的阴极和阳极，以及设置在所述阴极和所述阳极之间的量子点发光层)。为了获得更佳的器件性能，可以在量子点发光二极管基础结构上引入不同作用的功能层以平衡载流子。在一些实施例中，当底电极为阳极，即阳极设置所述基板上形成阳极基板时，在制备量子点发光层之前，还包括在所述基板的阳极表面制备空穴功能层(所述空穴功能层设置在所述阳极与所述量子点发光层之间)的步骤。所述空穴功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一层。其中，所述空穴注入层、空穴传输层用于降低空穴注入难度，所述电子阻挡层用于阻挡过量的电子，使过量的电子不能到达阳极形成漏电流，从而提高量子点发光二极管的电流效率。作为一个具体优选实施例，当阳极设置所述基板上形成阳极基板时，在制备量子点发光层之前，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管的后处理方法，其特征在于，包括以下步骤：/n提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极的功能层，所述功能层至少包括量子点发光层；/n在所述量子点发光二极管中功能层的材料未完全固化之前，将所述量子点发光二极管浸入有机溶剂中进行超声处理，所述有机溶剂为不溶解量子点的有机溶剂。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管的后处理方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供量子点发光二极管，所述量子点发光二极管包括阳极、阴极以及设置在所述阳极和阴极的功能层，所述功能层至少包括量子点发光层；
在所述量子点发光二极管中功能层的材料未完全固化之前，将所述量子点发光二极管浸入有机溶剂中进行超声处理，所述有机溶剂为不溶解量子点的有机溶剂。


2.如权利要求1所述的量子点发光二极管的后处理方法，其特征在于，所述有机溶剂选自直链中的碳原子数目小于20的醇类、直链中的碳原子数目小于20的硫醇、直链中的碳原子数目小于20的烯烃、直链中的碳原子数目小于10的醇类衍生物中的一种或两种以上的组合。


3.如权利要求1或2所述的量子点发光二极管的后处理方法，其特征在于，所述直链中的碳原子数目小于20的醇类选自1-丙醇、1-丁醇、1-戊醇、2-戊醇、1,5-戊二醇和2,3-丁二醇中的一种或多种；
所述直链中的碳原子数目小于20的硫醇选自丁硫醇、戊硫醇、庚硫醇、辛硫醇和十八硫醇中的一种或多种；
所述直链中的碳原子数目小于20的烯烃选自己烯、4-辛烯、5-癸烯、5-甲基-5-癸烯和十八烯中的一种或多种；
所述直链中的碳原子数目小于10的醇类衍生物选自甲氧基乙醇、乙氧基乙醇、苯氧基乙醇和1-甲氧基-1，2-丙二醇中的一种或多种。


4.如权利要求1至3任一项所述的量子点发光二极管的后处理方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：张节，向超宇，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44