一种具有写状态检测单元的MRAM存储器件制造技术

本发明专利技术公开了一种具有写状态检测单元的MRAM存储器件，所述MRAM存储器件包括MRAM存储单元、写状态检测单元，所述MRAM存储单元至少包括第一和第二磁性隧道结以及耦合到第一和第二磁性隧道结的MOS管，其中第一和第二磁性隧道结中的一个具有相对于读取和写入的电流路径的参考和记忆层的正常顺序，另一个磁性隧道结具有相对于读取和写入的电流路径的参考层和记忆层的相反顺序；所述第一和第二磁性隧道结一端分别与第一位线和第二位线相连，另一端连接MOS管；所述写状态检测单元包括检测点、比较器，所述写状态检测单元适用于检测MRAM存储单元的状态转换，并根据检测结果提前终止写操作。

【技术实现步骤摘要】
一种具有写状态检测单元的MRAM存储器件
本专利技术涉及半导体芯片领域，其最重要的应用在于对待机功耗要求很严格的物联网和可穿戴电子设备等领域，尤其涉及一种具有写状态检测单元的MRAM存储器件。
技术介绍
本专利技术的背景是MRAM制造技术已经成熟，近年来人们利用磁性隧道结(MTJ，MagneticTunnelJunction)的磁电阻效应做成磁性随机存储器，即为MRAM(MagneticRandomAccessMemory)，MRAM是一种非易失性磁性随机存储器，相比于现有的存储器，它的优势包括(1)它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力，以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度，而且还可以像Flash闪存一样在断电后永久保留数据。(2)它的性能相当好，读写时延接近SRAM，功耗则比闪存低得多。(3)它的经济性非常好，单位容量占用的硅片面积非常小，比SRAM有很大的优势；其制造工艺中需要的附加光罩数量较少，比嵌入式NORFlash的成本优势更大。(4)MRAM不像DRAM以及Flash那样与标准CMOS半导体工艺不兼容，MR本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有写状态检测单元的MRAM存储器件，包括若干MRAM存储单元，其特征在于：还包括写状态检测单元；/n所述MRAM存储单元至少包括第一磁性隧道结和第二磁性隧道结以及耦合到第一和第二磁性隧道结的MOS管，其中第一和第二磁性隧道结中的一个具有相对于读取和写入的电流路径的参考和记忆层的正常顺序，另一个磁性隧道结具有相对于用于读取和写入的电流路径的参考层和记忆层的相反顺序；所述第一和第二磁性隧道结一端分别与第一位线和第二位线相连，另一端连接MOS管；其中MOS管另外两端分别连接字线及源极线；/n所述写状态检测单元适用于检测所述MRAM存储单元的状态转换。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有写状态检测单元的MRAM存储器件，包括若干MRAM存储单元，其特征在于：还包括写状态检测单元；
所述MRAM存储单元至少包括第一磁性隧道结和第二磁性隧道结以及耦合到第一和第二磁性隧道结的MOS管，其中第一和第二磁性隧道结中的一个具有相对于读取和写入的电流路径的参考和记忆层的正常顺序，另一个磁性隧道结具有相对于用于读取和写入的电流路径的参考层和记忆层的相反顺序；所述第一和第二磁性隧道结一端分别与第一位线和第二位线相连，另一端连接MOS管；其中MOS管另外两端分别连接字线及源极线；
所述写状态检测单元适用于检测所述MRAM存储单元的状态转换。


2.如权利要求1所述的具有写状态检测单元的MRAM存储器件，其特征在于，写入状态时，所述MRAM存储单元中第一和第二隧道结连接的两根位线和MOS管连接的源极线同向通电。


3.如权利要求1所述的具有写状态检测单元的MRAM存储器件，其特征在于，所述MRAM存储单元中MOS管为两个。

【专利技术属性】
技术研发人员：戴瑾，郭一民，
申请(专利权)人：上海磁宇信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31