【技术实现步骤摘要】
用于响应于存储器单元年限的指示而对存储器单元进行编程的设备及方法
本专利技术一般来说涉及存储器，且特定来说，在一或多个实施例中，本专利技术涉及用于响应于存储器单元的年限指示而对存储器单元进行编程的设备及方法。
技术介绍
存储器(例如，存储器装置)通常被提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路装置。存在许多不同类型的存储器，包含随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态随机存取存储器(DRAM)、同步动态随机存取存储器(SDRAM)及快闪存储器。快闪存储器已发展成用于各种电子应用的非易失性存储器的流行来源。快闪存储器通常使用允许高存储器密度、高可靠性及低功率消耗的单晶体管存储器单元。通过电荷存储结构(例如，浮动栅极或电荷陷阱)的编程(其通常被称为写入)或其它物理现象(例如，相变或极化)所致的存储器单元的阈值电压(Vt)的变化确定每一存储器单元的数据状态(例如，数据值)。快闪存储器及其它非易失性存储器的常见用途包含个人计算机、个人数字助理(PDA)、数码相机、数字媒体播放器、数字记录器、游戏、电...
【技术保护点】
1.一种操作存储器的方法，其包括：/n在用于将多个存储器单元编程为多种数据状态中的相应所要数据状态的特定编程操作期间将第一多个编程脉冲施加到所述多个存储器单元的控制栅极，其中所述第一多个编程脉冲具有特定斜率；及/n在用于将所述多个存储器单元编程为所述多种数据状态中的相应所要数据状态的后续编程操作期间将第二多个编程脉冲施加到所述多个存储器单元的所述控制栅极，其中所述第二多个编程脉冲具有小于所述特定斜率的不同斜率。/n
【技术特征摘要】
20181219 US 16/225,0361.一种操作存储器的方法，其包括：
在用于将多个存储器单元编程为多种数据状态中的相应所要数据状态的特定编程操作期间将第一多个编程脉冲施加到所述多个存储器单元的控制栅极，其中所述第一多个编程脉冲具有特定斜率；及
在用于将所述多个存储器单元编程为所述多种数据状态中的相应所要数据状态的后续编程操作期间将第二多个编程脉冲施加到所述多个存储器单元的所述控制栅极，其中所述第二多个编程脉冲具有小于所述特定斜率的不同斜率。
2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
确定用于执行所述特定编程操作的所述多个存储器单元的存储器单元年限；及
响应于用于执行所述特定编程操作的所述经确定的存储器单元年限而选择所述特定斜率。
3.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述多个存储器单元的所述存储器单元年限包括确定所述多个存储器单元经历的编程/擦除循环的数目。
4.根据权利要求2所述的方法，其进一步包括：
确定用于执行所述后续编程操作的所述多个存储器单元的所述存储器单元年限；及
响应于用于执行所述后续编程操作的所述多个存储器单元的所述经确定的存储器单元年限而选择所述不同斜率。
5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在用于将所述多个存储器单元编程为所述多种数据状态中的相应所要数据状态的中间编程操作期间将第三多个编程脉冲施加到所述多个存储器单元的所述控制栅极；
其中在所述特定编程操作之后且所述后续编程操作之前执行所述中间编程操作。
6.根据权利要求5所述的方法，其中施加所述第三多个编程脉冲包括施加具有所述特定斜率的所述第三多个编程脉冲。
7.根据权利要求5所述的方法，其中施加所述第三多个编程脉冲包括施加具有所述不同斜率的所述第三多个编程脉冲。
8.根据权利要求5所述的方法，其中施加所述第三多个编程脉冲包括施加具有小于所述特定斜率且大于所述不同斜率的第三斜率的所述第三多个编程脉冲。
9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：
在用于将所述多个存储器单元编程为所述多种数据状态中的相应所要数据状态的下一后续编程操作期间将第三多个编程脉冲施加到所述多个存储器单元的所述控制栅极，其中所述第三多个编程脉冲具有小于所述不同斜率的第三斜率。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一多个编程脉冲具有特定编程起始电压，且其中所述第二多个编程脉冲具有小于所述特定编程起始电压的不同编程起始电压。
11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括：
确定用于执行所述特定编程操作的所述多个存储器单元的存储器单元年限；及
响应于用于执行所述特定编程操作的所述经确定的存储器单元年限而选择所述特定编程开始电压。
12.一种操作存储器的方法，其包括：
确定多个存储器单元的存储器单元年限；
确定用于对具有所述经确定的存储器单元年限的存储器单元进行编程的所要编程阶跃电压；及
对所述多个存储器单元执行编程操作包括将多个编程脉冲施加到所述多个存...
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