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本发明公开了一种具有写状态检测单元的MRAM存储器件，所述MRAM存储器件包括MRAM存储单元、写状态检测单元，所述MRAM存储单元至少包括第一和第二磁性隧道结以及耦合到第一和第二磁性隧道结的MOS管，其中第一和第二磁性隧道结中的一个具有相...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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