【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长的助熔剂及晶体生长方法
本专利技术涉及一种单晶的生长方法，特别涉及一种中红外非线性光学Pb17O8Cl18晶体生长的助熔剂及晶体生长方法。
技术介绍
Pb17O8Cl18晶体是2015年发现的一种具有高激光损伤阈值的新型中红外非线性光学晶体。它具有较大的非线性光学系数、高的激光损伤阈值、宽的透光范围、物理化学性能稳定等优点。与其它中红外非线性光学晶体相比，Pb17O8Cl18晶体的生长习性较好，可在开放体系生长，大大降低了传统红外倍频晶体在封闭系统中生长的难度。Pb17O8Cl18晶体能够通过激光频率变换对可见光或近红外激光实现中远红外激光输出，由于该晶体具有高的抗光伤阈值，因而该晶体在高功率激光变频领域具有广阔的应用前景。美国的《美国化学会志》[J.Am.Chem.Soc.2015,137,8360-8363]报道了Pb17O8Cl18晶体的结构，该晶体属于正交晶系、空间群是Fmm2、是双轴晶体，其晶胞参数每个晶胞中包含3个Pb17O8Cl18化学式。由于Pb17O8Cl18晶体是同成分熔融化合物，先前的报道是...
【技术保护点】
1.一种晶体生长的助熔剂，所述晶体为Pb
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长的助熔剂，所述晶体为Pb17O8Cl18，其特征在于，所述助熔剂的体系包括PbO、金属卤化物M′X、金属卤化物M″X2和Bi2O3中的至少一种；所述金属卤化物M′X、金属卤化物M″X2中，M′为Li、Na或K，M″为Mg、Ca、Ba、Sr或Pb，X为F或Cl。
2.如权利要求1所述的晶体生长的助熔剂，其特征在于，所述的Pb17O8Cl18是由含Pb化合物、含O化合物和含Cl化合物反应制得。
3.一种利用权利要求1或2所述的晶体生长的助熔剂的晶体生长方法，其特征在于，采用熔盐顶部籽晶法生长，包括以下步骤：
步骤1)：预合成Pb17O8Cl18多晶原料；
步骤2)：采用铂金坩埚或氧化铝陶瓷为容器，将预合成的Pb17O8Cl18多晶原料与所述助熔剂混合均匀，升温至原料完全融化，恒温保持；
步骤3)：在熔体温度饱和点上方1-10℃开始引晶，恒温5-300分钟，熔体温度稳定在饱和点，开始晶体生长；
步骤4)：晶体生长至所需尺寸，提升籽晶杆晶体脱离液面，以小于50℃/h的速率降至室温，在弱氧化性气氛中进行退火处理，得到Pb17O8Cl18晶体。
4....
【专利技术属性】
技术研发人员：张彦，王占勇，徐家跃，
申请(专利权)人：上海应用技术大学，
类型：发明
国别省市：上海;31
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