【技术实现步骤摘要】
保温筒排气结构和单晶硅炉
本技术涉及单晶硅生产设备
,尤其涉及一种保温筒排气结构和单晶硅炉。
技术介绍
在单晶硅的生产工艺中,需要向单晶硅炉中通入氩气进行冷却,并带走拉单晶过程中产生的废气。传统的保温筒的排气孔开设在筒体的侧壁上,并且,排气孔与筒体的底壁之间具有一定的间隔,氩气和废气的混合气体与保温筒的底壁相互接触后,会出现反冲的情况,使得单晶硅炉内的氧化严重,并且出现了气流旋涡,使得单晶炉内的温度变化不稳定,从而影响了拉晶的速度和质量。
技术实现思路
有鉴于此,本技术实施例提供一种保温筒排气结构和单晶硅炉,主要目的是提供一种能够使保温筒排气顺畅的保温筒排气结构。为达到上述目的,本技术主要提供如下技术方案:一方面,本技术实施例提供了一种保温筒排气结构,包括:筒体,所述筒体具有底壁和侧壁,所述侧壁上设置至少两个凹槽,所述底壁上设置至少两个排气孔,每个所述凹槽的具有底面和第一侧面,所述底面位于所述侧壁上,所述第一侧面位于所述底壁上,所述排气孔设置在所述第一侧面。进一步的,所述 ...
【技术保护点】
1.一种保温筒排气结构,其特征在于,包括:/n筒体,所述筒体具有底壁和侧壁,所述侧壁上设置至少两个凹槽,所述底壁上设置至少两个排气孔,每个所述凹槽的具有底面和第一侧面,所述底面位于所述侧壁上,所述第一侧面位于所述底壁上,所述排气孔设置在所述第一侧面。/n
【技术特征摘要】
1.一种保温筒排气结构,其特征在于,包括:
筒体,所述筒体具有底壁和侧壁,所述侧壁上设置至少两个凹槽,所述底壁上设置至少两个排气孔,每个所述凹槽的具有底面和第一侧面,所述底面位于所述侧壁上,所述第一侧面位于所述底壁上,所述排气孔设置在所述第一侧面。
2.根据权利要求1所述的保温筒排气结构,其特征在于,
所述凹槽沿所述筒体的径向设置,至少两个所述凹槽以所述筒体的轴线为中心对称分布。
3.根据权利要求1所述的保温筒排气结构,其特征在于,
所述凹槽的纵向截面的形状为长方形。
4.根据权利要求1所述的保温筒排气结构,其特征在于,还包括:
排气管,所述排气管至少为两个,每个所述排气管设置在其中一个所述排气孔上,用于排出气体。
5.根据权利要求1所述的保温筒...
【专利技术属性】
技术研发人员:罗永伟,汪奇,陈昌林,汪高峰,李坤阳,乔乐,刘军军,卢晓东,
申请(专利权)人:新疆晶科能源有限公司,
类型:新型
国别省市:新疆;65
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