一种化学机械抛光液及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光液，所述抛光液包含研磨颗粒、金属缓蚀剂、络合剂、氧化剂，阴离子型氟碳表面活性剂和水。本发明专利技术的抛光液具有高的阻挡层和二氧化硅(TEOS)的去除速率，并能很好的控制超低介电常数材料(ULK)的去除速率，同时对半导体器件表面的形貌有很强的矫正能力，快速实现平坦化，提高工作效率，降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液及其应用
本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种用于阻挡层、介质层平坦化的化学机械抛光液。
技术介绍
在集成电路的制造中，随着互连层数的增加和工艺特征尺寸的缩小，对互连技术的要求和硅片表面平整度的要求越来越高。如果不进行平坦化，在半导体晶圆上创建复杂和密集的结构是非常困难的，而化学机械抛光工艺(CMP)正是实现整个硅片平坦化的最有效的方法。随着集成电路技术向45nm及以下技术节点发展以及互连布线密度的急剧增加，互连系统中电阻、电容带来的RC耦合寄生效应迅速增长，影响了器件的反应速度。为减小这一影响，就必须采用低介电常数材料(k≤2.8)来降低相邻金属线之间的寄生电容，目前在45nm技术节点以下，工业界普遍采用的是超低介电常数材料(ULK，k≤2.5)。超低介电常数材料(ULK)的引入给工艺技术尤其是化学机械抛光(CMP)工艺带来极大的挑战。在CMP过程中，除了要严格控制表面污染物以及杜绝金属腐蚀外，还要使晶圆表面的碟形凹陷和介质层侵蚀较低，抛光均一性高，才能使晶圆具有可靠的电性能。特别是在阻挡层的抛光过程本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械抛光液，包含研磨颗粒、金属缓蚀剂、络合剂、氧化剂，阴离子型氟碳表面活性剂和水。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，包含研磨颗粒、金属缓蚀剂、络合剂、氧化剂，阴离子型氟碳表面活性剂和水。


2.根据权利要求1所述化学机械抛光液，其特征在于，
所述阴离子型氟碳表面活性剂的通式为CnF2n+1R，其中1≤n≤10，R为-COOM、-SO3M或-OPO3M，M为H、K或NH4。


3.根据权利要求2所述化学机械抛光液，其特征在于，
所述阴离子型氟碳表面活性剂的质量百分比含量为0.0001％-0.2％。


4.根据权利要求3所述化学机械抛光液，其特征在于，
所述阴离子型氟碳表面活性剂的质量百分比含量为0.001％-0.1％。


5.根据权利要求1所述化学机械抛光液，其特征在于，
所述研磨颗粒选自二氧化硅、三氧化二铝、二氧化铈、掺杂铝的二氧化硅、聚甲基丙烯酸甲酯中的一种或多种。


6.根据权利要求1所述化学机械抛光液，其特征在于，
所述研磨颗粒的质量百分比含量为1-20％。


7.根据权利要求6所述化学机械抛光液，其特征在于，
所述研磨颗粒的质量百分比含量为2-10％。


8.根据权利要求1所述化学机械抛光液，其特征在于，
所述研磨颗粒的粒径为20～150nm。


9.根据权利要求8所述化学机械抛光液，其特征在于，
所述研磨颗粒的粒径为30～120nm。


10.根据权利要求1所述化学机械抛光液，其特征在于，
所述金属缓蚀剂为唑类化合物。


11.根据权利要求10所述化学机械抛光液，其特征在于，
所述唑类化合物选自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、1，2，...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋凯，姚颖，荆建芬，蔡鑫元，汪国豪，李恒，
申请(专利权)人：安集微电子上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31