一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、硝酸铁、有机酸，所述二氧化硅研磨颗粒表面带正电荷。本发明专利技术的化学机械抛光液，与含有有机膦酸的抛光液相比，胶体稳定性高。另外，本发明专利技术的抛光液中添加了氮化硅抛光速率抑制剂，在具有较高的钨抛光速率的前提下，适当抑制了氮化硅的抛光速率，满足了半导体生产中对抛光的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液
本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种用于抛光钨的化学机械抛光液。
技术介绍
化学机械抛光(CMP)是一种由化学作用、机械作用以及这两种作用相结合而实现平坦化的技术；它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上，当进行化学机械抛光时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一样的运动方向旋转；与此同时，含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。作为化学机械抛光(CMP)对象之一的金属钨，在高电流密度下的抗电子迁移能力强，并且能够与硅形成很好的欧姆接触，所以可作为接触窗及介层洞的填充金属及扩散阻挡层。目前钨的化学机械抛光有多种方法如下：美国专利US5527423公开的金属层化学机械抛光液、美国专利US006008119A公开的半导体晶片抛光方法、以及美国专利US6284151公开的钨化学机械抛光浆料等均采用Fe(NO3)3/氧化铝体系用于钨机械抛光(CMP)。该抛本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、硝酸铁、有机酸、氧化剂、氮化硅抛光速率抑制剂，其中，所述二氧化硅研磨颗粒表面带正电。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、硝酸铁、有机酸、氧化剂、氮化硅抛光速率抑制剂，其中，所述二氧化硅研磨颗粒表面带正电。


2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述二氧化硅研磨颗粒为硅烷偶联剂表面改性处理的二氧化硅。


3.根据权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述硅烷偶联剂为氨丙基三乙氧基硅烷。


4.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比含量为1％-10％。


5.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述硝酸铁的质量百分比含量为0.02％-0.2％。


6.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述有机酸包括丙二酸、丁二酸、酒石酸、草酸和柠檬酸中的一种或多种。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：何华锋，王晨，李星，孙金涛，史经深，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31