一种化学机械抛光液制造技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、抛光速率促进剂、pH调节剂、抗氧化变色剂和水。本发明专利技术的化学机械抛光液通过在抛光液中使用抗氧化变色剂，减少了抛光速率促进剂的消耗，从而减少了抛光液在使用中由于抛光速率促进剂的消耗而产生的副产物，使抛光液在循环使用中，较长时间不发生颜色变化，提高了抛光液的稳定性和循环利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液
本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液。
技术介绍
目前，随着半导体技术的不断发展，以及大规模集成电路互连层的不断增加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。而化学机械抛光(CMP)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。化学机械抛光(CMP)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上。当进行化学机械抛光时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一样的运动方向旋转。与此同时，含有研磨颗粒的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。化学机械抛光过程中主要耗材为抛光液。为降低成本，生产厂家一般根据抛光液的性质将抛光液稀释若干倍后循环使用，在抛光过程中，根据抛光速率和硅晶片的表面质量决定是否更换抛光液。这样，可以减少抛光液的使用量，很大程度上降低成本。然而，在抛光液在循环使用的过程中，随着抛光液中抛光促进剂的消耗，以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、抛光速率促进剂、pH调节剂、抗氧化变色剂和水。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、抛光速率促进剂、pH调节剂、抗氧化变色剂和水。


2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比含量为0.1％-40％。


3.根据权利要求2所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比含量为15％-30％。


4.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述抛光速率促进剂包括哌嗪、单乙醇胺和二乙烯三胺中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述抛光速率促进剂的质量百分比含量为0.1-20％。

【专利技术属性】
技术研发人员：何华锋，王晨，李星，史经深，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31