化学机械抛光组合物制造技术

本发明专利技术主题涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含无机粒子、包含氨基和/或至少一个酸基(Y)的至少一种有机化合物、过硫酸钾、至少一种腐蚀抑制剂及水性介质，其用于抛光半导体工业的基材，该基材包含钴和/或钴合金及TiN和/或TaN。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】化学机械抛光组合物本专利技术主题涉及一种化学机械抛光(CMP)组合物，其包含无机粒子、包含氨基和/或至少一个酸基(Y)的至少一种有机化合物、过硫酸钾、至少一种腐蚀抑制剂及水性介质，其用于抛光半导体工业的基材，该基材包含钴和/或钴合金及TiN和/或TaN。在半导体工业中，化学机械抛光(缩写为CMP)为应用于制造先进的光子、微机电及微电子材料及装置(如，半导体晶圆)中的熟知技术。在制造用于半导体工业中的材料及装置期间，采用CMP以使金属和/或氧化物表面平坦化。CMP利用化学及机械作用的相互作用来达成待抛光表面的平坦度。化学作用由化学组合物(也称作CMP组合物或CMP浆料)来提供。机械作用通常通过抛光垫来进行，典型地将该抛光垫按压至待抛光表面上且将其安装于移动压板上。压板的移动通常为直线的、旋转的或轨道式的。在典型CMP方法步骤中，旋转晶圆固持器使待抛光晶圆与抛光垫接触。CMP组合物通常施用于待抛光晶圆与抛光垫之间。随着在超大规模集成电路(ultralargescaleintegratedCircuit；ULSI)技术中特征尺寸的连续缩减，铜互连结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械抛光组合物，其包含：/n(A)≥0.10重量％至≤4.00重量％的无机粒子，/n(B)≥0.10重量％至≤0.90重量％的包含氨基和/或至少一个酸基(Y)的至少一种有机化合物，/n(C)≥0.20重量％至≤0.90重量％的过硫酸钾，/n(D)≥95.00重量％至≤99.58重量％的水性介质，/n(E)≥0.01重量％至≤0.50重量％的至少一种腐蚀抑制剂，及/n(K)≥0.01重量％至≤1.50重量％的至少一种添加剂，/n其中该组合物的pH为≥8.5至≤11.0，且/n其中重量％按该组合物的总重量计。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171122 EP 17203056.11.一种化学机械抛光组合物，其包含：
(A)≥0.10重量％至≤4.00重量％的无机粒子，
(B)≥0.10重量％至≤0.90重量％的包含氨基和/或至少一个酸基(Y)的至少一种有机化合物，
(C)≥0.20重量％至≤0.90重量％的过硫酸钾，
(D)≥95.00重量％至≤99.58重量％的水性介质，
(E)≥0.01重量％至≤0.50重量％的至少一种腐蚀抑制剂，及
(K)≥0.01重量％至≤1.50重量％的至少一种添加剂，
其中该组合物的pH为≥8.5至≤11.0，且
其中重量％按该组合物的总重量计。


2.根据权利要求1所述的化学机械抛光组合物，其特征在于该组合物的pH为≥8.5至≤10.0。


3.根据权利要求1或2所述的化学机械抛光组合物，其特征在于过硫酸钾的量为≥0.30重量％至≤0.70重量％。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的化学机械抛光组合物，其特征在于该无机粒子(A)为胶态无机粒子。


5.根据权利要求4所述的化学机械抛光组合物，其特征在于该胶态无机粒子为胶态二氧化硅粒子。


6.根据权利要求1-5中任一项所述的化学机械抛光组合物，其特征在于该至少一种有机化合物(B)为分子量低于600g/mol的非聚合化合物。


7.根据权利要求1-6中任一项所述的化学机械抛光组合物，其特征在于该有机化合物(B)中的该酸基(Y)选自羧酸、磺酸及膦酸。


8.根据权利要求1-7中任一项所述的化学机械抛光组合物，其特征在于该有机化合物(B)选自氨基酸、经取...

【专利技术属性】
技术研发人员：C·达施莱茵，M·西伯特，兰永清，M·劳特尔，S·A·奥斯曼易卜拉欣，R·戈扎里安，魏得育，H·O·格文茨，J·普罗尔斯，L·勒尼森，
申请(专利权)人：巴斯夫欧洲公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE