一种化学机械抛光液及其应用制造技术

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、硅抛光速率促进剂、pH调节剂、循环使用处理剂和水。本发明专利技术的抛光液通过在抛光液中添加循环使用处理剂，降低在循环使用过程中的副产物产生速率，延长了抛光垫颜色保持不变的时间，提高了抛光过程的稳定性，从而使抛光垫的循环使用寿命提高，添加处理剂还可以解决抛光液在反复使用过程中硅的去除速率明显下降的问题，延长抛光液的使用时间，从而大大降低了生产成本，并且提高了硅抛光产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光液及其应用
本专利技术涉及化学机械抛光领域，尤其涉及一种化学机械抛光液及其应用。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，以及大规模集成电路互连层的不断增加，导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪80年代，由IBM公司首创的化学机械抛光(CMP)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的方法。化学机械抛光(CMP)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。它通常由一个带有抛光垫的研磨台，及一个用于承载芯片的研磨头组成。其中研磨头固定住芯片，然后将芯片的正面压在抛光垫上。当进行化学机械抛光时，研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一样的运动方向旋转。与此同时，含有研磨颗粒的浆液被滴到抛光垫上，并因离心作用平铺在抛光垫上。芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。目前，化学机械抛光液(CMP)所用的研磨颗粒通常采用纳米二氧化硅，包括硅溶胶和气相二氧化硅。它们在水中可以均匀分散，不沉降，在抛光过程中，纳米氧化硅提供研磨的机械力。除了机械力之外，许多化学物质可以进一步加速硅的抛光去除速率。特别地，从本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、硅抛光速率促进剂、pH调节剂、循环使用处理剂和水。/n

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光液，包括二氧化硅研磨颗粒、硅抛光速率促进剂、pH调节剂、循环使用处理剂和水。


2.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比含量为0.1％-40％。


3.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述二氧化硅研磨颗粒的质量百分比含量为15％-30％。


4.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述硅抛光速率促进剂包括哌嗪、单乙醇胺和二乙烯三胺中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的化学机械抛光液，其特征在于，
所述循环使用处理剂包括氨基三甲叉膦酸、羟基乙叉二膦酸、乙二胺四亚甲基磷酸铵、乙二胺四亚甲基磷酸、二乙烯五亚甲基膦酸、2-膦酸丁烷-1，2...

【专利技术属性】
技术研发人员：何华锋，王晨，李星，孙金涛，史经深，
申请(专利权)人：安集微电子科技上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31